恭喜三星电子株式会社李赫宰获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111092060B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911012951.X，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体封装是由李赫宰;金志勳;金泰勳;洪志硕;黄智焕设计研发完成，并于2019-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装在说明书摘要公布了：提供一种半导体封装。半导体封装包括：下结构，包括上绝缘层及上焊盘；以及半导体芯片，设置在下结构上且包括下绝缘层及下焊盘。下绝缘层接触上绝缘层并耦合到上绝缘层，并且下焊盘接触上焊盘并耦合到上焊盘，且半导体芯片的旁侧在半导体芯片的上侧与下侧之间延伸且包括凹缩部分。
本发明授权半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，包括：下结构，包括上绝缘层及上焊盘；半导体芯片，设置在所述下结构上且包括下绝缘层及下焊盘；以及模制层，设置在所述下结构上，其中所述下绝缘层接触所述上绝缘层并耦合到所述上绝缘层，且所述下焊盘接触所述上焊盘并耦合到所述上焊盘，其中所述半导体芯片的旁侧在所述半导体芯片的上侧与下侧之间延伸且包括凹缩部分以及沿与所述上侧垂直的第一方向从所述上侧延伸至所述凹缩部分的上垂直部分，其中所述凹缩部分包括沿所述第一方向从所述半导体芯片的所述下侧的边缘延伸的下垂直部分、从所述下垂直部分延伸的第一弯曲部分和从所述第一弯曲部分延伸至所述上垂直部分并与所述第一弯曲部分不同的第二弯曲部分，其中所述模制层覆盖所述半导体芯片的整个所述旁侧，且其中所述上绝缘层的第一部分接触所述下绝缘层，且所述上绝缘层的第二部分接触所述模制层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市灵通区三星路129号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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