恭喜三星电子株式会社朴世准获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111081711B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911005796.9，技术领域涉及：H10B41/27；该发明授权非易失性存储器装置是由朴世准;刘民胎;李载德设计研发完成，并于2019-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器装置在说明书摘要公布了：提供了一种可靠性得到改善的非易失性存储器装置。该非易失性存储器装置包括：模制结构，其包括顺序地堆叠在衬底上的第一绝缘图案、第一栅电极和第二绝缘图案；半导体图案，其穿透模制结构，连接到衬底，并在第一方向上延伸；第一电荷存储膜，其在第一方向上延伸，并位于第一绝缘图案与第二绝缘图案之间以及第一栅电极与半导体图案之间；以及阻挡绝缘膜，其位于第一栅电极和第一电荷存储膜之间，其中，第一电荷存储膜在第一方向上延伸的第一长度比阻挡绝缘膜在第一方向上延伸的第二长度长。
本发明授权非易失性存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器装置，包括：模制结构，其包括顺序地堆叠在衬底上的第一绝缘图案、第一栅电极和第二绝缘图案；半导体图案，其穿透所述模制结构，连接到所述衬底，并在第一方向上延伸；第一电荷存储膜，其在所述第一方向上延伸，并位于所述第一绝缘图案与所述第二绝缘图案之间以及所述第一栅电极与所述半导体图案之间；以及阻挡绝缘膜，其位于所述第一栅电极与所述第一电荷存储膜之间，其中，所述第一电荷存储膜在所述第一方向上延伸的第一长度比所述阻挡绝缘膜在所述第一方向上延伸的第二长度长，并且其中，所述第一电荷存储膜包括突起，所述突起在所述第一方向上延伸至所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案中的一者，使得所述第一电荷存储膜的所述突起与所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案中的所述一者接触，同时所述第一电荷存储膜的其余部分与所述阻挡绝缘膜接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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