恭喜离子射线服务公司;国家微电子中心-西班牙研究委员会F·托瑞格罗萨获国家专利权
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龙图腾网恭喜离子射线服务公司;国家微电子中心-西班牙研究委员会申请的专利改善碳化硅上的MOSFET沟道中的载流子迁移率的器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112703607B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980060474.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权改善碳化硅上的MOSFET沟道中的载流子迁移率的器件是由F·托瑞格罗萨;L·洛克斯;P·格蒂格诺恩设计研发完成，并于2019-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善碳化硅上的MOSFET沟道中的载流子迁移率的器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种布置在衬底10上的MOSFET器件，该MOSFET器件包括重掺杂的第一条带11和重掺杂的第二条带14，重掺杂的第一条带11和重掺杂的第二条带14分别被第一接触件13和第二接触件15覆盖，这两个条带被也出现在衬底10上的沟道18间隔开，沟道被电介质层20覆盖，第三接触件21处于电介质层20本身上面。该器件的显著之处在于，沟道18在与电介质层20的界面处包含轻掺杂有与沟道相同类型的掺杂物原子的薄膜19，这些掺杂物原子被分布在界面的两侧上。
本发明授权改善碳化硅上的MOSFET沟道中的载流子迁移率的器件在权利要求书中公布了：1.一种布置在衬底10上的MOSFET器件，所述MOSFET器件包括重掺杂的第一条带11和重掺杂的第二条带14，重掺杂的第一条带11和重掺杂的第二条带14分别被第一接触件13和第二接触件15覆盖，这两个条带被也出现在所述衬底10上的沟道18间隔开，所述沟道被电介质层20覆盖，第三接触件21处于所述电介质层20上方；所述器件的特征在于通过离子注入制成的轻掺杂的薄膜19位于所述沟道18与所述电介质层20之间的界面处，并且在于所述第一条带和所述第二条带以及所述薄膜表现出与所述沟道相同类型的、与所述衬底10的掺杂类型相反的掺杂，以便产生被固定在所述沟道与所述电介质层之间的界面处的电荷，使得载流子被从所述电介质层及其缺陷排斥开。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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