恭喜三星电子株式会社林根元获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110400800B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910328300.5，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权半导体器件是由林根元;白石千;千志成;辛宗祐;崔凤贤设计研发完成，并于2019-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件，包括：外围电路层，包括下基板；存储器单元层，在所述外围电路层上，包括第一上基板和第二上基板，所述第一上基板和所述第二上基板沿第一方向相邻地设置在所述外围电路层的上表面上；至少一个切割区域，在所述第一上基板和所述第二上基板之间；以及至少一个半导体图案，在所述第一上基板与所述第二上基板之间，并且与所述至少一个切割区域相邻。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：外围电路层，包括下基板；存储器单元层，在所述外围电路层上，包括第一上基板和第二上基板，多个栅电极彼此间隔开并且与所述第一上基板和所述第二上基板垂直地堆叠，并且在平面图中存储器单元分别设置在所述第一上基板和所述第二上基板限定的区域内，其中，所述第一上基板和所述第二上基板沿第一方向相邻地设置在所述外围电路层的上表面上；至少一个切割区域，在所述第一上基板和所述第二上基板之间，其中，所述至少一个切割区域由绝缘材料形成；至少一个半导体图案，在所述第一上基板与所述第二上基板之间，并且与所述至少一个切割区域相邻；以及上层间绝缘层，至少部分地覆盖所述第一上基板和所述第二上基板上的所述多个栅电极并且覆盖所述至少一个半导体图案，其中，所述第一上基板和所述第二上基板被所述至少一个切割区域电隔离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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