恭喜爱思开启方半导体有限公司金宁培获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开启方半导体有限公司申请的专利具有高压场效应晶体管和结型场效应晶体管的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110246838B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811433529.7，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权具有高压场效应晶体管和结型场效应晶体管的半导体器件是由金宁培设计研发完成，并于2018-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有高压场效应晶体管和结型场效应晶体管的半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及具有高压场效应晶体管和结型场效应晶体管的半导体器件。描述了一种半导体器件，该半导体器件包括：设置在衬底中的第一N型阱区和与第一N型阱区接触的第二N型阱区；设置在第一N型阱区中的源极区；设置在第二N型阱区中的漏极区；以及与漏极区间隔开设置的第一栅电极和第二栅电极。在平面图中，源极区在垂直于第一栅电极或第二栅电极的方向上的最大垂直长度大于漏极区在该方向上的最大垂直长度。
本发明授权具有高压场效应晶体管和结型场效应晶体管的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：第一结型场效应晶体管JFET，其包括：设置在衬底中的第一N型阱区；与所述第一N型阱区邻接的第二N型阱区；设置在所述第一N型阱区中的第一JFET源极区；设置在所述第二N型阱区中的公共漏极区；以及第一高压场效应晶体管HVFET，其包括：形成在所述衬底中的第一P型阱区；设置在所述第一P型阱区中的第一HVFET源极区；所述公共漏极区，其设置在所述第二N型阱区中，并由所述第一JFET和所述第一HVFET共用；以及第一栅电极，其形成在所述第一P型阱区上，并设置在所述第一HVFET源极区与所述公共漏极区之间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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