三星电子株式会社李炅奂获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利竖直存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111354760B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910897773.7，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权竖直存储器件是由李炅奂;金容锡;林濬熙;金森宏治设计研发完成，并于2019-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本竖直存储器件在说明书摘要公布了：一种竖直存储器件包括衬底上的栅电极和第一结构。栅电极可以在垂直于衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开。第一结构沿第一方向延伸穿过栅电极，并且包括在平行于衬底的上表面的水平方向上顺序堆叠的沟道和可变电阻结构。可变电阻结构中可以包括量子点QD。
本发明授权竖直存储器件在权利要求书中公布了：1.一种竖直存储器件，包括： 衬底上的栅电极，所述栅电极在基本垂直于所述衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开；以及 第一结构，所述第一结构沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极，并且包括在基本平行于所述衬底的所述上表面的水平方向上顺序堆叠的沟道和可变电阻结构， 其中所述可变电阻结构中包括量子点， 其中，所述可变电阻结构中包括的所述量子点相对于彼此沿所述第一方向布置，彼此之间具有空间， 其中，所述可变电阻结构包括在所述第一方向上彼此间隔开的多个耗尽区， 其中，所述多个耗尽区中的每一个设置在所述第一方向上的相邻量子点之间的所述空间中的相应空间中，并且 其中，电流流过所述量子点和所述多个耗尽区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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