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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利一种沟槽保护圈结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111128959B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811289747.8，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权一种沟槽保护圈结构及其形成方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽保护圈结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种沟槽保护圈结构及其形成方法，形成方法包括：提供一基底，基底具有多个芯片区域，在相邻芯片区域间设置保护圈区域；在保护圈区域内形成沟槽，在沟槽内形成字线结构，字线结构上表面不高于基底上表面；在基底上层叠状设置多个金属互连层，相邻的金属互连层之间设置金属间介电层，于金属间介电层内形成多个第一连接件连接相邻的金属互连层，最底层的金属互连层与基底间设置层间介电层，于层间介电层中设置多个第二连接件，多个第二连接件中的至少一个使最底层的金属互连层与字线结构连接，从而形成沟槽保护圈结构。本发明的方法形成的沟槽保护圈结构能够减少字线通道的泄露路径，同时能够避免浮动节点电位浮动。

本发明授权一种沟槽保护圈结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽保护圈结构的形成方法，包括：提供一基底，所述基底具有多个芯片区域，在相邻所述芯片区域间设置保护圈区域；在所述保护圈区域内形成沟槽，在所述沟槽内形成字线结构，所述字线结构上表面不高于基底上表面，所述保护圈区域中的所述沟槽内的所述字线结构电位接地；在所述基底上层叠状设置多个金属互连层，相邻的所述金属互连层之间设置金属间介电层，于所述金属间介电层内形成第一连接件连接相邻的所述金属互连层，最底层的所述金属互连层与所述基底间设置层间介电层，于所述层间介电层中设置第二连接件，使最底层的所述金属互连层与所述字线结构连接，从而形成沟槽保护圈结构；其中，所述沟槽保护圈结构中包含多个所述沟槽以及多个所述字线结构，所述沟槽的数量与所述字线结构的数量相同，且所述字线以及所述沟槽的数量为2或2的倍数，最底层的所述金属互连层与多个字线结构中的至少一个通过所述第二连接件相连接。

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