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龙图腾网恭喜金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利混合钝化背接触电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584720B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510113881.6，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权混合钝化背接触电池及其制备方法是由林楷睿设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本混合钝化背接触电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种混合钝化背接触电池及其制备方法，电池包括硅片；硅片正面上依次设置有第三隧穿氧化层、第一非晶硅层和第一减反层；硅片背面交替排布有第一抛光区和第二抛光区；第一抛光区上至少设置有第一半导体层；第二抛光区上至少设置有第二半导体层；第一抛光区和相邻的第二抛光区之间设置有制绒区；在第一抛光区、制绒区和第二抛光区上均依次设置有第四隧穿氧化层、第二非晶硅层和第二减反层；第一非晶硅层的折射率为2.2‑4，从第三隧穿氧化层至第一减反层的方向，第一非晶硅层的折射率逐渐变小。本申请提高了钝化效果，从而提高了电池效率。此外，正背面的钝化层可以在同一台管式PECVD内沉积形成，简化了工艺步骤，降低了设备成本。

本发明授权混合钝化背接触电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种混合钝化背接触电池，其特征在于，包括：硅片，所述硅片具有正面和背面；所述硅片正面上依次设置有第三隧穿氧化层、第一非晶硅层和第一减反层；沿所述硅片背面的X轴方向，所述硅片背面交替排布有第一抛光区和第二抛光区；沿所述硅片背面的Z轴方向，所述第一抛光区上至少设置有第一半导体层；沿所述硅片背面的Z轴方向，所述第二抛光区上至少设置有第二半导体层；所述第一抛光区和相邻的所述第二抛光区之间设置有制绒区，所述制绒区使所述第一半导体层和所述第二半导体层隔离；在所述第一抛光区、所述制绒区和所述第二抛光区上均依次设置有第四隧穿氧化层、第二非晶硅层和第二减反层；其中，所述第一非晶硅层的折射率为2.2-4，从所述第三隧穿氧化层至所述第一减反层的方向，所述第一非晶硅层的折射率逐渐变小；所述第二非晶硅层的折射率为2.2-4，从所述第四隧穿氧化层至所述第二减反层的方向，所述第二非晶硅层的折射率逐渐变小。

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