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龙图腾网获悉德克萨斯仪器股份有限公司申请的专利封装的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110534498B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910426938.2，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权封装的半导体器件是由唐逸麒;R·M·穆卢干;M·R·库卡尼设计研发完成，并于2019-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本封装的半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开封装的半导体器件。封装的半导体器件300包括塑封的互连衬底，塑封的互连衬底具有信号层221和底部金属层223，信号层包括在具有通孔的介电层222上的第一和第二通道，底部金属层用于提供接地回波路径。信号层包括接触焊盘，第一和第二通道的迹线包括变窄的迹线区域221s，且底部金属层包括含有接地切割区域223a的图案化层。DC阻隔电容器C1、C2、C3、C4串联在第一和第二通道的迹线内，用于提供AC耦合，DC阻隔电容器在一个接地切割中的上方具有一个极板。集成电路IC210包括经耦合以接收来自DC阻隔电容器的输出的第一和第二差分输入通道，其中其上的凸块阵列218倒装芯片安装到接触焊盘以提供第一和第二差分输出信号。

本发明授权封装的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种封装的半导体器件，其包括： 多层塑封的互连衬底即MIS，其具有信号层和底部金属层，所述信号层包括用于在具有通孔的介电层上的第一通道的第一迹线和第二迹线以及用于在具有通孔的所述介电层上的第二通道的第一迹线和第二迹线，并且所述介电层下面的所述底部金属层用于提供接地回波路径，所述信号层包括接触焊盘，其中所述第一通道和所述第二通道的所述第一迹线和所述第二迹线包括变窄的迹线区域，并且所述底部金属层包括含有多个接地切割区域的图案化层； 串联在所述第一通道的所述第一迹线和所述第二迹线内的第一直流阻隔电容器即第一DC阻隔电容器和第二DC阻隔电容器，用于提供交流耦合即AC耦合，所述第一DC阻隔电容器和所述第二DC阻隔电容器各自在所述接地切割区域中的一个上方具有一个极板； 串联在所述第二通道的所述第一迹线和所述第二迹线内的第三DC阻隔电容器和第四DC阻隔电容器，用于提供AC耦合，所述第三DC阻隔电容器和所述第四DC阻隔电容器各自在所述接地切割区域中的一个上方具有一个极板；以及 集成电路即IC，其包括：第一差分输入通道，其经耦合以接收来自所述第一DC阻隔电容器和所述第二DC阻隔电容器的输出；以及至少第二差分输入通道，其经耦合以接收所述第三DC阻隔电容器和所述第四DC阻隔电容器的输出，其中其上的凸块阵列被倒装芯片安装到所述接触焊盘，以提供第一差分输出信号和第二差分输出信号。

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