恭喜成都纤声科技有限公司王韬获国家专利权
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龙图腾网恭喜成都纤声科技有限公司申请的专利压电结构、压电MEMS麦克风及压电结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119485132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510063854.2，技术领域涉及：H04R19/04；该发明授权压电结构、压电MEMS麦克风及压电结构的制备方法是由王韬;向紫薰设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本压电结构、压电MEMS麦克风及压电结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种压电结构、压电MEMS麦克风及压电结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该压电结构包括：第一电极层和沿第一方向设置在第一电极层上的至少一组复合膜层，复合膜层包括压电层和设置在压电层远离第一电极层的一侧的第二电极层，最远离第一电极层的第二电极层的表面设有狭隙，狭隙贯穿压电结构在第一方向上相对的两个表面，以将压电结构分割成至少两个悬臂梁；第一电极层上设有第一缝隙，狭隙位于第一缝隙内且狭隙的轮廓与第一缝隙的轮廓不相交。该压电结构在第一电极层上设置了与狭隙位置对应的第一缝隙，开缝时，刻蚀气体不会直接与第一电极层反应生成金属聚合物，因此可以防止刻蚀速率减缓，并降低开缝失败的几率。
本发明授权压电结构、压电MEMS麦克风及压电结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种压电结构，其特征在于，包括：第一电极层和沿第一方向设置在所述第一电极层上的至少一组复合膜层，所述复合膜层包括压电层和设置在所述压电层远离所述第一电极层的一侧的第二电极层，最远离所述第一电极层的所述第二电极层的表面设有狭隙，所述狭隙贯穿所述压电结构在所述第一方向上相对的两个表面，以将所述压电结构分割成至少两个悬臂梁；所述第一电极层为底电极层，所述第一电极层上设有第一缝隙，所述第一缝隙贯穿所述第一电极层在所述第一方向上相对的两个表面，所述狭隙位于所述第一缝隙内且所述狭隙的轮廓与所述第一缝隙的轮廓不相交。
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