东芝存储器株式会社小林茂树获国家专利权
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龙图腾网获悉东芝存储器株式会社申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111725227B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910687436.5，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体存储装置是由小林茂树;塩川太郎;园田真久设计研发完成，并于2019-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明的实施方式提供一种选择栅极线与接点之间的连接良好的半导体存储装置。本发明的一实施方式的半导体存储装置具备：多个第1导电体层，在第1方向上积层；第1半导体层，在所述多个第1导电体层内沿所述第1方向延伸；第1电荷累积层，设置在所述多个第1导电体层与所述第1半导体层之间；多个第2导电体层，在所述多个第1导电体层的上方沿所述第1方向积层；以及第3导电体层，从所述多个第2导电体层之中最下层的上表面起，在所述多个第2导电体层之中除所述最下层以外的1个或多个层内沿所述第1方向延伸，且与所述多个第2导电体各自的上表面相接。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 多个第1导电体层，在第1方向上积层； 第1半导体层，在所述多个第1导电体层内沿所述第1方向延伸； 第1电荷累积层，设置在所述多个第1导电体层与所述第1半导体层之间； 多个第2导电体层，在所述多个第1导电体层之中最上层的上方沿所述第1方向积层；以及 第3导电体层，从所述多个第2导电体层之中最下层的上表面起，在所述多个第2导电体层之中除所述最下层以外的1个或多个层内沿所述第1方向延伸，且与所述多个第2导电体各自的上表面相接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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