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龙图腾网恭喜长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421471B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510012849.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由罗成志;潘辉设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：衬底、外延层、栅极结构、第一掺杂区和埋层结构；外延层具有第一导电类型且位于衬底的表面；第一掺杂区具有第二导电类型；埋层结构位于第一掺杂区靠近衬底的一侧；埋层结构包括层叠排布的至少两层埋层部，各层埋层部包括第一埋层和第二埋层；第一埋层具有第二导电类型，第二埋层具有第一导电类型；第二埋层的离子浓度大于外延层的离子浓度；其中，至少两层第一埋层的宽度不同；沿外延层指向衬底的方向，各第一埋层的宽度依次减小。本发明实施例的技术方案可屏蔽栅极结构周围的电场，保护栅氧化层不易被击穿，提高器件可靠性，且保证器件的开态电流。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，具有第一导电类型；外延层，具有所述第一导电类型且位于所述衬底的表面，所述外延层包括第一表面，所述第一表面设置有栅极沟槽；栅极结构，位于所述栅极沟槽的内部；第一掺杂区，位于所述栅极结构的至少一侧，所述第一掺杂区具有第二导电类型；埋层结构，位于所述第一掺杂区靠近所述衬底的一侧；所述埋层结构包括层叠排布的至少两层埋层部，各层所述埋层部包括第一埋层和第二埋层，所述第二埋层位于所述第一埋层的侧面；所述第一埋层具有所述第二导电类型，所述第二埋层具有所述第一导电类型，所述第二埋层的离子浓度大于所述外延层的离子浓度；其中，至少两层所述第一埋层的宽度不同；沿所述外延层指向所述衬底的方向，各所述第一埋层的宽度依次减小。

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