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龙图腾网恭喜常州臻晶半导体有限公司申请的专利碳化硅晶片外圈端面清理装置及其使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119346498B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411919839.5，技术领域涉及：B08B1/40；该发明授权碳化硅晶片外圈端面清理装置及其使用方法是由张庆云;郑红军;杨加海;陆敏设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅晶片外圈端面清理装置及其使用方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及处理半导体的设备，尤其涉及碳化硅晶片外圈端面清理装置及其使用方法；本发明提供了一种碳化硅晶片外圈端面清理装置，包括：支撑台；清理机构，其滑动设置在所述支撑台上，所述清理机构适于与晶片外圈端面抵接；供液管，其设置在支撑台上端，适于向清理机构表面输送清理液；其中，供液管向支撑台的上表面输送清理液后，清理机构沿支撑台表面径向滑动，以加快清理机构被浸湿的时间；晶片倾斜状靠近清理机构时，清理机构被挤压形变，以提高清理机构与晶片的接触面积；清理结束后，清理机构相对支撑台径向滑动，以刮除支撑台表面残留的清理液。

本发明授权碳化硅晶片外圈端面清理装置及其使用方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶片外圈端面清理装置，其特征在于，包括：支撑台（1）；清理机构（2），其滑动设置在所述支撑台（1）上;供液管（3）;其中，供液管（3）向支撑台（1）的上表面输送清理液后，清理机构（2）沿支撑台（1）表面径向滑动，以加快清理机构（2）被浸湿的时间；晶片（4）倾斜状靠近清理机构（2）时，清理机构（2）被挤压形变，以提高清理机构（2）与晶片（4）的接触面积；清理机构（2）相对晶片（4）转动，以清理晶片（4）的外圈端面；清理结束后，清理机构（2）相对支撑台（1）径向滑动，以刮除支撑台（1）表面残留的清理液；所述支撑台（1）沿径向开设有一滑动槽（10），所述滑动槽（10）一端开设有一限位槽（11）；所述清理机构（2）包括：限位环（21），其滑动设置在支撑台（1）上端，且底壁与支撑台（1）的上表面抵接；调节件（22），其升降设置在所述限位环（21）上，且适于在所述滑动槽（10）内滑动；清理布（23），其设置在限位环（21）内圈，且适于与晶片（4）抵接；其中，限位环（21）与支撑台（1）抵接后，调节件（22）向下移动插入限位槽（11）内，周向转动调节件（22）以限位所述限位环（21）；调节件（22）在滑动槽（10）移动，以带动限位环（21）相对支撑台（1）径向滑动；晶片（4）倾斜状与清理布（23）抵接，以顶推清理布（23）形变，至清理布（23）底壁与支撑台（1）的上表面抵接。

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