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龙图腾网恭喜福建金石能源有限公司申请的专利硅基背接触异质结太阳电池及其制备方法、电池组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342946B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411886166.8，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权硅基背接触异质结太阳电池及其制备方法、电池组件是由林楷睿;张超华;林锦山;黄天福;皮文慧设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅基背接触异质结太阳电池及其制备方法、电池组件在说明书摘要公布了：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种硅基背接触异质结太阳电池及其制备方法、电池组件，该硅基背接触异质结太阳电池通过在非晶硅钝化层增加一层超薄掺氧型非晶硅，从而避免沉积非晶硅钝化层时单晶外延生长影响非晶硅钝化层的成膜质量以及钝化效果。同时结合在P型非晶硅层的最外层制备一层掺氧型非晶硅层作为牺牲层，另外硼和氧容易形成稳定的结构，因此掺氧型非晶硅层可以很好地覆盖住P型非晶硅层防止硼外溢，从而实现非晶硅钝化层与P型非晶硅层在同一套PECVD系统内沉积完成，进而减少了一套PECVD系统，降低了设备成本。

本发明授权硅基背接触异质结太阳电池及其制备方法、电池组件在权利要求书中公布了：1.一种硅基背接触异质结太阳电池的制备方法，包括以下步骤：S01、提供一硅片；S02、在所述硅片的背面依次制备隧穿氧化硅层和掺杂多晶硅层，得到第一半导体层；S03、在所述第一半导体层的表面制备掩膜层；S04、去除部分掩膜层及对应部分的第一半导体层，形成交替排列的第二半导体开口区；S05、通过制绒清洗去除所述第二半导体开口区内残留的掩膜层、N型掺杂多晶层及隧穿氧化硅层，同时在所述硅片的正面及位于所述第二半导体开口区的所述硅片表面形成绒面，然后去除部分或全部所述硅片背面位于所述第二半导体开口区之外的所述掩膜层；S06、在所述硅片的正面依次形成钝化层以及减反层，在所述硅片的背面依次制备超薄掺氧型非晶硅层、非晶硅钝化层和P型非晶硅层以及掺氧型非晶硅层；在硅片背面制备所述超薄掺氧型非晶硅层时通入硅烷和二氧化碳或者其他能够提供氧源的气体；其中，二氧化碳和硅烷的比例为3~30：100，沉积功率密度为10~100mWcm2，气压为30~150pa，所述超薄掺氧型非晶硅层厚度均为0.2~1nm，掺氧含量为3~30%，所述非晶硅钝化层的厚度为3-10nm；所述非晶硅钝化层的厚度与超薄掺氧型非晶硅层的厚度的比值为3~50：1；在制备所述掺氧型非晶硅层时通入笑气或其他能够提供氧源的气体、硅烷和氢气，其中，笑气、硅烷和氢气的比例为1~10：1：0~10，沉积功率密度为5~50mWcm2，气压为30~150pa，掺氧含量为20~70%，掺氢含量为0~10%；S07、在所述硅片背面刻蚀开口，形成与所述第二半导体开口区间隔排列的第一半导体开口区，所述第一半导体开口区暴露出所述掺杂多晶硅层；S08、去除所述P型非晶硅层表面残余的掺氧型非晶硅层，之后在所得的硅片背面沉积透明导电膜层；S09、在所述第一半导体开口区与所述第二半导体开口区之间的所述透明导电膜层上进行开口，形成隔离槽；S10、在所述第一半导体开口区的透明导电膜层上和所述第二半导体开口区的透明导电膜层上形成金属电极。

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