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龙图腾网恭喜上海海栎创科技股份有限公司申请的专利一种稳压器及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119225468B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411756304.0，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种稳压器及其控制方法是由卢昌鹏;刘华;陈建球设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种稳压器及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种稳压器及其控制方法，其中，稳压器包括电压基准电路、缓冲器电路、传输电路和输出电路；缓冲器电路的输入端接收电压基准电路提供的基准电压，缓冲器电路的输出端连接至传输电路的输入端；传输电路的输出端连接输出电路的输入端，输出电路的输出端连接负载。通过负载电流与缓冲器电路电流的比例调节及唤醒状态与休眠状态结合的控制方法，本发明的稳压器获得了小面积、高精度和超低功耗的有益效果。

本发明授权一种稳压器及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种稳压器，其特征在于，包括电压基准电路、缓冲器电路、传输电路和输出电路；所述电压基准电路的输出端连接所述缓冲器电路的输入端；所述缓冲器电路的输出端连接所述传输电路的输入端；所述传输电路的输出端连接所述输出电路的输入端，所述输出电路输出稳定电压VCCD；所述缓冲器电路包括运算放大器、第一NMOS管、第二NMOS管和第一PMOS管；所述运算放大器的同相输入端连接所述电压基准电路的输出端，所述运算放大器的反相输入端连接所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的漏极，所述运算放大器的输出端输出第一信号VNG，并直接连接至所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极，所述第一NMOS管的栅极连接所述传输电路；所述第一PMOS管的源极连接电源电压VDDA，所述第一PMOS管的栅极连接第二信号ENB_REG；所述第二NMOS管的源极接地VSSA，所述第二NMOS管的栅极连接第三信号VBN；所述传输电路包括第二PMOS管和第三NMOS管，所述第二PMOS管的源极连接所述第三NMOS管的漏极和所述缓冲器电路的输出端，所述第二PMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的源极和所述输出电路的输入端；所述第二PMOS管的栅极连接第四信号ENB_TG，所述第三NMOS管的栅极连接第五信号ENI_TG；所述输出电路包括电容、第十七PMOS管和第十四NMOS管；所述电容的第一端连接所述传输电路的输出端和所述第十四NMOS管的栅极，第二端连接所述地VSSA；所述第十七PMOS管的源极连接所述电源电压VDDA，漏极连接所述第十四NMOS管的漏极，栅极连接第十二信号TIEL；所述第十四NMOS管的源极输出稳定电压VCCD。

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