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龙图腾网恭喜度亘核芯光电技术(苏州)有限公司申请的专利一种半导体激光器的腔面处理方法和半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119144920B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411659391.8，技术领域涉及：C23C14/14；该发明授权一种半导体激光器的腔面处理方法和半导体激光器是由徐荣靖;郑志川;魏文超;刘中华;张继宇;李颖;张宇设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光器的腔面处理方法和半导体激光器在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体激光器的腔面处理方法和半导体激光器，该方法将经过大气解理和预处理的激光器芯片堆叠放置到进样腔进行第一热处理，随后在生长腔依次进行第二热处理、注入还原性气体冲击和进行第三热处理，并注入含氟离子源气体对GaAs基底表面进行表面氟化处理以在GaAs基底表面生成宽禁带的第一厚度的金属氟化层，并注入含氢氮离子源气体和蒸镀金属铝源，在金属氟化层之上生成第二厚度的氢化氮化铝层，得到金属氟化层和氢化氮化铝层构成的钝化层。本申请可以降低GaAs基半导体激光器腔面的表面态密度，增强抗光学灾变损伤性能，从而提高半导体激光器的性能和可靠性。

本发明授权一种半导体激光器的腔面处理方法和半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器的腔面处理方法，其特征在于，所述方法包括：将经过大气解理和预处理的激光器芯片堆叠放置到进样腔，在第一真空环境下进行第一温度区间下的第一热处理；将所述激光器芯片堆叠放置到生长腔在第二真空环境下加热到第二温度区间进行第二热处理，随后通过注入还原性气体对所述激光器芯片的腔面的GaAs基底表面进行冲击以去除表面氧化物，随后加热至第三温度区间进行第三热处理；随后通过注入含氟离子源气体对所述GaAs基底表面进行表面氟化处理以在所述GaAs基底表面生成宽禁带的第一厚度的金属氟化层，随后降温到所述第二温度区间，通过注入含氢氮离子源气体和蒸镀金属铝源，在所述金属氟化层之上生成第二厚度的氢化氮化铝层，得到所述金属氟化层和氢化氮化铝层构成的钝化层；其中，所述第一温度区间为80~100℃，第二温度区间为300~350℃，第三温度区为500~550℃，所述金属氟化层包括氟化镓（GaF3），所述第一厚度与第二厚度之间的比例满足1:2.5~1:3的比例关系。

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