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龙图腾网恭喜度亘核芯光电技术(苏州)有限公司申请的专利一种半导体激光器芯片的可靠性测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119147946B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411659394.1，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种半导体激光器芯片的可靠性测试方法是由陈王义博;唐松;杨国文设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光器芯片的可靠性测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体激光器芯片的可靠性测试方法，涉及激光器芯片领域。该方法包括：在同批次的激光器芯片中选取多个测试芯片；在不同的测试温度下分别测试多个测试芯片随电流变化的功率，以确定高温老化条件与高功率老化条件；在同批次的激光器芯片中选取多个高温老化芯片与多个高功率老化芯片；以高温老化条件对多个高温老化芯片进行高温老化后，统计高温失效数量；以高功率老化条件对多个高功率老化芯片进行高功率老化后，统计高功率失效数量；根据高温失效数量与高功率失效数量，判断影响同批次的激光器芯片可靠性的主要因素。本发明提供的导体激光器芯片的可靠性测试方法能够判断影响同批次的激光器芯片可靠性的主要因素。

本发明授权一种半导体激光器芯片的可靠性测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器芯片的可靠性测试方法，其特征在于，包括：在同批次的激光器芯片中选取多个测试芯片；在多个不同的测试温度下分别测试多个所述测试芯片随电流变化的功率；根据功率测试结果，确定高温老化条件与高功率老化条件；在同批次的所述激光器芯片中选取多个高温老化芯片与多个高功率老化芯片；以所述高温老化条件对多个所述高温老化芯片进行设定时长的高温老化，并在老化结束后统计多个所述高温老化芯片中的高温失效数量；以所述高功率老化条件对多个所述高功率老化芯片进行所述设定时长的高功率老化，并在老化结束后统计多个所述高功率老化芯片中的高功率失效数量；根据所述高温失效数量与所述高功率失效数量，判断影响同批次的激光器芯片可靠性的主要因素；所述根据所述高温失效数量与所述高功率失效数量，判断影响同批次的激光器芯片可靠性的主要因素的步骤包括：在多个所述高温老化芯片与多个所述高功率老化芯片的数量一致的情况下，若所述高温失效数量大于所述高功率失效数量，则判定外延质量为影响同批次的激光器芯片可靠性的主要因素；若所述高功率失效数量大于所述高温失效数量，则判定腔面工艺为影响同批次的激光器芯片可靠性的主要因素。

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