恭喜齐鲁理工学院于磊获国家专利权
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龙图腾网恭喜齐鲁理工学院申请的专利一种基于分子印迹双波长便携式光电化学传感器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118759015B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410966594.5,技术领域涉及:G01N27/26;该发明授权一种基于分子印迹双波长便携式光电化学传感器及其制备方法和应用是由于磊;张俏;孙悦设计研发完成,并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于分子印迹双波长便携式光电化学传感器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于分子印迹双波长便携式光电化学传感器及其制备方法和应用,属于传感技术领域,本发明采用金纳米粒子AuNPs修饰多孔硅和目标分析物2,4‑二氯苯氧乙酸2,4‑D作为光电化学活性物质,在两个不同激发波长560和280nm下分别产生互不干扰的光电流信号,并利用不同分析物浓度下,不同激发波长下产生的下降和上升光电流信号作为比率分析信号,以及印迹聚合物与非印迹聚合物之间的差分响应作为分析信号,实现了对2,4‑D高灵敏度和高选择性检测。该比率差分型分子印迹光电化学技术也可作为一种创新和通用的方法,用于检测具有类似性质的其它MIPs目标。
本发明授权一种基于分子印迹双波长便携式光电化学传感器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种基于分子印迹双波长比率差分型便携式光电化学传感器进行2,4-D浓度检测的方法,其特征在于,所述方法采用AuNPs修饰的多孔硅和2,4-D作为光电化学活性材料,以在560和280nm不同激发波长下产生光电流的比值,以及印迹聚合物与非印迹聚合物之间的响应差分作为分析信号,从而实现对2,4-D浓度的检测;所述方法中使用的分子印迹双波长比率差分型便携式光电化学传感器分别以万用电表作为光电信号检测设备,MIPs@AuNPs多孔硅电极为第一工作电极、NIPs@AuNPs多孔硅为第二工作电极,Pt片为对电极,使用560nm和280nm的LED灯作为激发光源获取比率差分光电流信号;其中,比率差分光电流信号由以下公式计算:ΔI=I280I560MIPs-αI280I560NIPs;α=1.08,α为权重因子,用于平衡MIPs@AuNPsPS与NIPs@AuNPsPS之间的差异;所述方法中使用的分子印迹双波长比率差分型便携式光电化学传感器的MIPs@AuNPs多孔硅电极制备方法,包括如下步骤:1将去除氧化层的硅片背面涂覆铝膜,经阳极氧化、清洗、氮气流干燥后,在氢氟酸溶液中浸泡得到多孔硅电极,将得到的多孔硅电极置于HAuCl4溶液中加热浸泡,生成AuNPs;2将AuNPs多孔硅置于含有模板分子和吡咯的磷酸盐缓冲溶液中,采用循环伏安法电聚合,用甲醇和乙酸的溶剂混合物洗脱模板分子,得到去模板分子的MIPs@AuNPs多孔硅。
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