恭喜华中科技大学童浩获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜华中科技大学申请的专利基于相变材料的窄带吸收器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118915341B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410960753.0，技术领域涉及：G02F1/015；该发明授权基于相变材料的窄带吸收器件是由童浩;谭青山;林亚;缪向水设计研发完成，并于2024-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于相变材料的窄带吸收器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于相变材料的窄带吸收器件，该器件包括：窄带吸收腔体结构，包括金属层、介质层和相变层；钽酸锂单晶片结构，位于所述窄带吸收腔体结构之下；在光线射到所述窄带吸收腔体结构时，所述窄带吸收腔体结构用于吸收对应波长的光线，产生热释电效应，所述钽酸锂单晶片结构用于产生电流，以根据所述电流的大小获得所述光线的光强信息，并根据所述电流的大小改变所述相变层的状态以控制开光的关断。本发明可监测光的强弱，实现动态的开关调控，且半高宽非常窄，对角度不敏感，结构简单，易于集成，开关比高。
本发明授权基于相变材料的窄带吸收器件在权利要求书中公布了：1.一种基于相变材料的窄带吸收器件，其特征在于，包括：窄带吸收腔体结构，包括金属层、介质层和相变层；钽酸锂单晶片结构，位于所述窄带吸收腔体结构之下；在光线射到所述窄带吸收腔体结构时，所述窄带吸收腔体结构用于吸收对应波长的光线，产生热释电效应，所述钽酸锂单晶片结构用于产生电流，以根据所述电流的大小获得所述光线的光强信息，并根据所述电流的大小改变所述相变层的状态以控制开光的关断。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号