恭喜朗姆研究公司尚卡尔·斯瓦米纳坦获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利用于半导体图案化应用的掺杂ALD膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113488379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110564747.X，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权用于半导体图案化应用的掺杂ALD膜是由尚卡尔·斯瓦米纳坦;理查德·菲利普斯;阿德里安·拉瓦伊设计研发完成，并于2017-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体图案化应用的掺杂ALD膜在说明书摘要公布了：本发明涉及用于半导体图案化应用的掺杂ALD膜。本文描述了使用正性图案化方案将衬底图案化的方法和装置。方法包括接收具有图案化芯材的衬底，在图案化芯材上保形沉积掺杂间隔物材料，相对于掺杂间隔物材料选择性地蚀刻芯材以形成间隔物掩模，并且使用间隔物掩模蚀刻衬底上的目标层。可以使用硼、镓、磷、砷、铝和铪中的任何一种对间隔物材料进行掺杂。实施方式适用于在多个图案化应用中的应用。
本发明授权用于半导体图案化应用的掺杂ALD膜在权利要求书中公布了：1.一种对衬底进行图案化的方法，该方法包括：a相对掺杂间隔物选择性地蚀刻图案化芯材以形成掩模，其中所述图案化芯材的蚀刻速率比所述掺杂间隔物的蚀刻速率快5至20倍，并且其中所述掺杂间隔物包含掺杂剂密度介于1E20atcc和5E22atcc之间；以及b使用所述掩模蚀刻目标层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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