恭喜株式会社思可林集团青山敬幸获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社思可林集团申请的专利热处理方法以及热处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112652559B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011536845.4，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权热处理方法以及热处理装置是由青山敬幸;河原崎光;古川雅志;加藤慎一;布施和彦;谷村英昭设计研发完成，并于2016-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本热处理方法以及热处理装置在说明书摘要公布了：提供能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜的膜厚增大的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面隔着作为界面层膜的二氧化硅膜形成高介电常数膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压P1。然后，向腔室内供给氨气与氮气的混合气体而恢复至常压Ps，并向半导体晶片的表面照射闪光来执行高介电常数膜的成膜后热处理。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压P1后就恢复压力，因此，能够使执行成膜后热处理时的腔室内的氧气浓度显著地变低，从而能够抑制高介电常数膜的基层的二氧化硅膜在成膜后热处理中吸取氧气而膜厚增大。
本发明授权热处理方法以及热处理装置在权利要求书中公布了：1.一种热处理方法，其特征在于，通过向形成有高介电常数膜的基板照射闪光来加热该基板，所述热处理方法包括：搬入工序，将形成有高介电常数膜的基板搬入腔室内，减压工序，将所述腔室内的压力减压至比大气压低的第一压力，恢复压力工序，向所述腔室内供给氧气类的反应性气体，以将所述腔室内的压力从第一压力恢复至比第一压力高的第二压力，并使所述腔室内的氧浓度为200ppb以下，照射工序，一边将所述腔室内的压力维持为第二压力，一边从闪光灯向所述基板的表面照射闪光，所述第二压力比所述第一压力高且比大气压低，在所述照射工序之后，从所述腔室排出所述反应性气体，将所述腔室内的压力再次减压至比所述第二压力低的压力。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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