昆山兴凯半导体材料有限公司林建彰获国家专利权
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龙图腾网获悉昆山兴凯半导体材料有限公司申请的专利一种核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118580571B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410778707.9，技术领域涉及：C08K9/10；该发明授权一种核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法是由林建彰;李进;陈迎鑫;石培培;薛宜琛设计研发完成，并于2024-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及高导热填料技术领域，具体涉及一种高导热核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物填料的制备方法，本发明通过创新性地相分离方法合成出具有核壳结构氮化硼，成功地将偏氟乙烯基共聚物修饰在BN的界面上，增加二维高导热填料在高分子基体当中的相容性；因此本发明中制备得到的高导热填料在电子封装系统、高压电绝缘设备和高介电电容器等领域具有广泛的应用前景。
本发明授权一种核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法，具体步骤如下：步骤一：将BN二维片层材料超声波分散于N,N-二甲基甲酰胺或N,N-二甲基乙酰胺溶剂中；步骤二：将偏氟乙烯基共聚物溶解在N,N-二甲基甲酰胺或N,N-二甲基乙酰胺溶剂中，50-70℃下搅拌5-7小时；步骤三：将步骤一和步骤二中的溶液混合，并在60℃以下搅拌24小时；步骤四：通过恒压分液漏斗将正辛醇缓慢滴加到步骤三中的混合液中，保持温度60℃，持续搅拌24小时；步骤五：将步骤四中的混合溶液通过蒸发的方式去除溶剂，得到核壳结构氮化硼填料；步骤六：将步骤五所得的填料进行离心处理，并用乙醇或者甲醇或者丙醇清洗3-6次，将所得到的填料放置在100摄氏度的真空炉汇总干燥5-8小时，得到具有核壳结构氮化硼。
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