苏州迈志微半导体有限公司杨东林获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州迈志微半导体有限公司申请的专利功率晶体管和电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222776517U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421350223.6，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型功率晶体管和电子设备是由杨东林;陈文高;秦旭光;刘侠设计研发完成，并于2024-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率晶体管和电子设备在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种功率晶体管和电子设备。该功率晶体管包括：衬底；外延层，设置于所述衬底之上；绝缘介质层，设置于所述外延层上方；金属电极层，设置于所述绝缘介质层上方；多个第一体区和多个第二体区，设置于所述外延层内，其中所述多个第二体区的上表面与所述外延层的上表面齐平；多个第三体区，设置于所述多个第一体区的上方，其中所述多个第三体区的上表面与所述外延层的上表面齐平；多个沟槽栅极，设置在所述第三体区和所述第二体区之间，其中所述沟槽栅极从所述外延层的上表面向下延伸。
本实用新型功率晶体管和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种功率晶体管，其特征在于，包括衬底；外延层，设置于所述衬底之上；绝缘介质层，设置于所述外延层上方；金属电极层，设置于所述绝缘介质层上方；多个第一体区和多个第二体区，设置于所述外延层内，其中所述多个第二体区的上表面与所述外延层的上表面齐平；多个第三体区，设置于所述多个第一体区的上方，其中所述多个第三体区的上表面与所述外延层的上表面齐平；多个沟槽栅极，设置在所述第三体区和所述第二体区之间，其中所述沟槽栅极从所述外延层的上表面向下延伸；其中所述沟槽栅极的一侧与所述第三体区的一侧直接界面接触；多个重掺杂区，设置于所述多个第三体区内；所述重掺杂区的一侧与所述沟槽栅极直接界面接触，所述重掺杂区的另一侧与导电通孔直接接触，所述导电通孔穿通所述绝缘介质层并延伸至所述第三体区内，其中，所述第二体区的两侧分别通过所述外延层与所述沟槽栅极间隔开，且所述第二体区的上表面与所述绝缘介质层下表面界面接触。
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