恭喜台湾积体电路制造股份有限公司吕俊颉获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利三维存储阵列及场效晶体管装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222776514U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421157447.5，技术领域涉及：H10B51/30；该实用新型三维存储阵列及场效晶体管装置是由吕俊颉;林佑明;蒋国璋;施昱全;黄怀莹设计研发完成，并于2024-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储阵列及场效晶体管装置在说明书摘要公布了：本实用新型的实施例提供一种可在第一和第二状态之间选择性地切换的场效晶体管包括：源极和漏极区以及设置在其间的通道区；被布置为选择性地接收偏压的栅极，该偏压在第一和第二状态之间切换场效晶体管；在栅极和通道区之间的存储结构包括反铁电的第一部分和铁电的第二部分，当场效晶体管在第一状态时，两个部分沿第一方向被极化；以及设置成靠近存储结构的去极化介电层。当场效晶体管被设定为第一状态时，去极化介电层使存储结构的第二部分的极化不稳定，同时保持第一部分的极化。在存储结构中并入反铁电材料可抑制弱擦除问题，尤其在重复擦写期间达到良好控制的擦除状态。
本实用新型三维存储阵列及场效晶体管装置在权利要求书中公布了：1.一种场效晶体管装置，其特征在于，在第一状态和第二状态之间选择性地切换，所述场效晶体管装置包括：源极区和漏极区；通道区，设置在所述源极区和所述漏极区之间；栅极，被布置为选择性地接收偏压以选择性地在所述第一状态和所述第二状态之间切换所述场效晶体管装置；存储结构，设置在所述栅极和所述通道区之间，所述存储结构包括反铁电的第一部分和铁电的第二部分，当所述场效晶体管装置处于所述第一状态时，所述第一部分和所述第二部分沿第一方向被极化；以及至少一去极化介电层，设置成靠近所述存储结构。
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