恭喜苏州镓锐芯光科技有限公司李增成获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州镓锐芯光科技有限公司申请的专利一种半导体发光结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222775787U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420418614.0，技术领域涉及：H01S5/30；该实用新型一种半导体发光结构是由李增成;吴思;胡磊;刘治设计研发完成，并于2024-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体发光结构在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体发光结构，包括：衬底层；位于所述衬底层上的第一半导体层；位于第一半导体层背离所述衬底层一侧的有源层；位于所述有源层背离所述衬底层一侧的第二半导体层，所述第二半导体层中具有受主掺杂离子；位于所述第二半导体层背离所述衬底层一侧的氢扩散阻挡层，所述氢扩散阻挡层中具有开口区；所述第二半导体层包括位于所述氢扩散阻挡层底部的第一区域和位于开口区底部的第二区域，所述第一区域的电阻率高于所述第二区域的电阻率。所述半导体发光结构的漏电减小。
本实用新型一种半导体发光结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光结构，其特征在于，包括：衬底层；位于所述衬底层上的第一半导体层；位于第一半导体层背离所述衬底层一侧的有源层；位于所述有源层背离所述衬底层一侧的第二半导体层，所述第二半导体层中具有受主掺杂离子；位于所述第二半导体层背离所述衬底层一侧的氢扩散阻挡层，所述氢扩散阻挡层中具有开口区；所述第二半导体层包括位于所述氢扩散阻挡层底部的第一区域和位于开口区底部的第二区域，所述第一区域的电阻率高于所述第二区域的电阻率。
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