恭喜拓荆科技(上海)有限公司王政获国家专利权
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龙图腾网恭喜拓荆科技(上海)有限公司申请的专利薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117448789B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311578564.9，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备是由王政;柴雪;李晶;田云龙设计研发完成，并于2023-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备，通过在加热盘承载区域的边缘部分设置环形的凸起结构或环形的凹陷结构，这样可以根据薄膜沉积过程中等离子体在晶圆中心部分还是边缘部分的分布强度大来相应在加热盘承载区域边缘部分设置凹陷结构或者凸起结构，以此承载区域边缘部分至喷淋板间的距离，相应降低或提高等离子体在承载区域边缘部分的分布强度，从而改变晶圆边缘部分沉积薄膜的质量，从而保证晶圆中心部分和边缘部分的薄膜质量均匀性。
本发明授权薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种薄膜沉积反应腔，其特征在于，包括腔体（40）以及位于所述腔体（40）内的喷淋板（20）和加热盘（10），所述喷淋板（20）和所述加热盘（10）相对且间隔设置，所述加热盘（10）朝向所述喷淋板（20）的一面具有与晶圆（30）尺寸相适配的承载区域，所述承载区域的边缘部分设置有环形的凸起结构（11）或环形的凹陷结构（12），所述凸起结构（11）的内沿相较于外沿更远离所述喷淋板（20），所述凹陷结构（12）的内沿相较于外沿更靠近所述喷淋板（20）；其中，在所述承载区域放置有晶圆（30）的情况下，所述凸起结构（11）或所述凹陷结构（12）位于所述晶圆（30）的边缘的正下方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆科技(上海)有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号10幢304室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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