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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116741639B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310736843.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的制备方法及半导体器件是由伊艾伦;欧欣;周民设计研发完成，并于2023-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，该方法通过在第一碳化硅衬底上同质外延一外延层；在外延层中形成的外延缺陷层制作掺杂阱区，并与第二碳化硅衬底进行键合；第一碳化硅衬底的衬底质量高于第二碳化硅衬底的衬底质量；沿外延缺陷层剥离包含第一碳化硅衬底在内的部分器件结构并对剥离表面进行后处理，暴露经剥离的外延层中的第二面；并将经导电处理后的第二面与硅衬底进行键合；去除第二碳化硅衬底，并激活键合界面以及制备栅氧层及金属层，形成半导体器件。从而解决了在硅衬底上外延碳化硅的难题，并且能充分发挥碳化硅材料自身的优异性能，提高半导体器件的性能，同时降低了对高质量碳化硅材料的依赖和器件成本。

本发明授权半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一碳化硅衬底，在所述第一碳化硅衬底上同质外延一外延层；对所述外延层外露的第一面进行第一离子注入，在所述外延层中形成外延缺陷层；所述外延层中的第一离子的注入能量是常规的离子注入能量的5～15倍，且所述外延缺陷层与所述外延层外露的第一面的距离大于所述外延缺陷层与所述外延层的下边缘的距离；在所述第一面与所述外延缺陷层之间制作掺杂阱区，形成不包含栅极的第一中间器件结构；在形成所述第一中间器件结构步骤之后与执行后续导电处理步骤之间的过程中，所述掺杂阱区无需执行退火处理以掺杂激活；提供第二碳化硅衬底，并基于所述第一面与所述第一中间器件结构进行键合；所述第一碳化硅衬底的衬底质量高于所述第二碳化硅衬底的衬底质量；沿所述外延缺陷层的层方向，剥离包含所述第一碳化硅衬底在内的部分器件结构，并对剥离后的器件结构的剥离表面进行后处理，暴露经剥离的外延层中的第二面；所述剥离后的器件结构不包含所述第一碳化硅衬底；对所述第二面进行导电处理形成导电层，并对所述导电层和所述掺杂阱区进行退火处理，形成第二中间器件结构；所述退火处理用于激活所述掺杂阱区中的掺杂剂，所述退火处理在剥离掉所述第一碳化硅衬底步骤之后执行；所述第二中间器件结构不包含所述第一碳化硅衬底；提供硅衬底，并基于所述第二面与倒置的所述第二中间器件结构进行键合；去除所述第二碳化硅衬底，并激活键合界面，形成第三中间器件结构；在所述第三中间器件结构上制备栅氧层及金属层，形成半导体器件；其中，在形成第二中间器件结构之后，所述方法还包括：对剥离后的第一碳化硅衬底进行回收处理，得到回收后的第一碳化硅衬底；所述回收后的第一碳化硅衬底用于制备所述半导体器件；所述回收处理步骤包括：先对剥离的第一碳化硅衬底进行热氧化处理，在1300℃纯氧环境中湿法氧化2～5小时；再利用氢氟酸去除经热氧化处理得到的氧化层，最后对经氢氟酸处理后的第一碳化硅衬底的剩余表面进行抛光处理，抛光后的薄膜去除厚度不超过500nm，即得到所述回收后的第一碳化硅衬底。

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