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龙图腾网恭喜北京亦盛精密半导体有限公司申请的专利一种去除碳化硅上石墨的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116002688B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211620195.0，技术领域涉及：C01B32/956；该发明授权一种去除碳化硅上石墨的方法是由王力;张慧;包根平;徐柯柯设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种去除碳化硅上石墨的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及碳化硅除杂技术领域，具体公开了一种去除碳化硅上石墨的方法，包括以下步骤：S1、将带有石墨基底的碳化硅置于加热容器中；S2、向加热容器中通入氧气，并抽真空；S3、以阶梯升温保温方式，调节加热容器的温度，升温范围为0‑1200℃，升温速度为5‑20℃min，每一阶段的保温时间为T，0h＜T≤2h。本申请的去除碳化硅上石墨的方法具有石墨去除率高，碳化硅氧化程度低、残余应力小，适合规模化生产的优点。

本发明授权一种去除碳化硅上石墨的方法在权利要求书中公布了：1.一种去除碳化硅上石墨的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将带有石墨基底的碳化硅置于加热容器中；S2、向加热容器中通入氧气，并抽真空，氧气通入时流速为20-200mlmin，真空度为200-300Pa；S3、以阶梯升温保温方式，调节加热容器的温度，每一阶段的保温时间为T，0h＜T≤2h，阶梯升温保温方法为：以5-10℃min的速率升温至800℃，保温1-2h，以5-10℃min的速率升温至900℃，保温1-2h，以5-10℃min的速率升温至1000℃，保温1-2h，再以5-10min的速率升温至1100℃，保温1-2h后自然降温；或者以5-10℃min的速率升温至450-560℃，保温1-2h，以5-10℃min的速率升温至650-700℃，保温1-2h，以5-10℃min的速率升温至800℃，保温1-2h，以5-10℃min的速率升温至900℃，保温1-2h，以5-10℃min的速率升温至1000℃，保温1-2h，再以5-10min的速率升温至1100℃，保温1-2h后自然降温。

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