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龙图腾网恭喜三一硅能(株洲)有限公司申请的专利局域掺杂方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332393B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211015324.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权局域掺杂方法及设备是由请求不公布姓名;王治业;请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本局域掺杂方法及设备在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池技术领域，提供一种局域掺杂方法及设备。其中，局域掺杂方法包括：利用光源照射硅片的待掺杂表面，待掺杂表面设有待掺杂区域；将掺杂源物质与承载气体混合形成气溶胶；为气溶胶附加电荷，电荷的极性与待掺杂表面的载流子极性相反；向待掺杂区域喷射附加有电荷的气溶胶。本发明提供的局域掺杂方法，利用附加有电荷的气溶胶喷射受光源照射的硅片表面即可完成局域掺杂，无需对硅片进行掩膜、激光开槽及酸洗等工序，使得硅片所历经的工序更少，从而能够简化对硅片局域掺杂的工艺流程，进而能够降低硅片局域掺杂的难度，提高硅片局域掺杂的效率。

本发明授权局域掺杂方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种局域掺杂方法，其特征在于，用于对硅片1进行局域掺杂，所述硅片1设有载流子分离结构，用于使所述硅片1受光照激发的载流子向所述硅片1的表面漂移，所述方法包括：利用光源3照射所述硅片1的待掺杂表面，所述待掺杂表面设有待掺杂区域；将掺杂源物质与承载气体混合形成气溶胶；为所述气溶胶附加电荷，所述电荷的极性与所述待掺杂表面的所述载流子极性相反；向所述待掺杂区域喷射附加有所述电荷的所述气溶胶；所述电荷与所述载流子在所述硅片表面中和产生局部高温，所述气溶胶中的掺杂元素在高温作用下向所述硅片内部扩散形成表面局域掺杂；所述硅片1的待掺杂表面附有介质膜，并且所述介质膜的导电性低于所述硅片1的待掺杂面的导电性；所述光源在波长300-1000nm范围内可调，用于照射硅片的待掺杂表面产生光生电流。

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