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龙图腾网恭喜哈尔滨工业大学申请的专利一种模拟声子辅助光致发光谱的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115165814B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210759752.0，技术领域涉及：G01N21/63；该发明授权一种模拟声子辅助光致发光谱的方法是由魏亚东;李兴冀;李伟奇;徐晓东设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种模拟声子辅助光致发光谱的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种模拟声子辅助光致发光谱的方法，涉及半导体材料的模拟技术技术领域，具体适用于固体材料，包括如下步骤：构建含有缺陷的晶胞模型，定义ABCD四种状态，同时计算基态系统位形状态A不同声子模式对应的声子基矢；通过杂化密度泛函自洽计算，获得各态势总能，构建位形图和ZPL能量；提取所述总能、声子基矢和原子质量，通过计算获得黄昆因子和光谱数据，将其导入绘图软件，得到光致发光谱。本发明所述的计算方法实现对固体材料声子辅助光致发光性质的精确模拟计算。

本发明授权一种模拟声子辅助光致发光谱的方法在权利要求书中公布了：1.一种模拟声子辅助光致发光谱的方法，适用于固体材料，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：构建正交结构的晶格模型，对所述晶格模型中的原子位置进行优化，使原子处于初始状态，具体包括：采用平面波近似对所述晶格模型中的原子位置进行优化，使每个所述原子的受力小于步骤S2：在所述晶格模型中构建缺陷，得到含有所述缺陷的晶胞模型，经结构优化后，获得基态系统位形状态A；步骤S3：重新排布基态系统位形状态A的电子分布，考虑自旋，将单一K点的电子从价带顶转移到对应位置的导带底，提取基态电子布居数，此时系统处于激发态系统位形状态D，对激发态系统位形状态D进行结构优化，得到激发态系统位形状态C，系统从激发态系统位形状态C激发态跃迁到基态，得到基态系统位形状态B，经过结构弛豫，回复到基态系统位形状态A；同时计算基态系统位形状态A不同声子模式对应的声子基矢；其中，计算不同声子模式的考虑范围包括：考虑所述晶格模型中的全部原子的声子模式；或者在具有较低能量本征值的声子模式中，通过外部输入作用半径范围将距离缺陷位置较远的原子视为固定原子；步骤S4：通过杂化密度泛函自洽计算，获得基态系统位形状态A、基态系统位形状态B、激发态系统位形状态C和激发态系统位形状态D的总能，构建位形图和ZPL能量；步骤S5：在上述步骤中提取所述总能、声子基矢和原子质量，通过计算获得黄昆因子和光谱数据，将其导入绘图软件，得到光致发光谱；其中，所述黄昆因子的定义式为： 其中，为约化普朗克常数，声子正则坐标的变化量ΔQλ满足以下关系： 其中，激发态原子位置为Re,α，基态原子位置为Rg,α，声子基矢为uλ，mα代表原子α的质量；所述光谱数据考虑温度形成的高斯展宽，电声耦合作用的谱函数为： 其中，σ为展宽参数，Sλ为黄昆因子，ωλ为声子模式λ对应的频率，则体系的光致发光谱分布为： 其中，EZPL是零声子线位置，为基态系统位形状态A和激发态系统位形状态C之间的能量差；为入射光子的能量；光谱的生成因子g为：gt＝eSt-S0；

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