恭喜福建省晋华集成电路有限公司童宇诚获国家专利权
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龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体装置及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036316B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210716437.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体装置及其制作方法是由童宇诚;张钦福设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体装置及其制作方法，包括衬底、存储节点焊盘、支撑结构、电容结构以及绝缘填充层。存储节点焊盘设置在衬底上。支撑结构设置在衬底上，并包括由下而上依序设置的第一支撑层以及第二支撑层。电容结构设置在衬底上，并包括依序堆迭的底电极层、电容电介质层以及顶电极层，其中，底电极层包括具有对称柱状结构的第一底电极层、以及具有不对称柱状结构的第二底电极层，第一底电极层以及第二底电极层分别具有朝着水平方向延伸的至少一水平延伸部，藉此，底电极层可更为稳固地设置于支撑结构上，达到更为优化的功能与效果。
本发明授权半导体装置及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于包括：衬底；多个存储节点焊盘，设置在所述衬底上；支撑结构，设置在所述衬底上，所述支撑结构包括由下而上依序设置的第一支撑层以及第二支撑层；以及电容结构，设置在所述衬底上，所述电容结构包括依序堆迭的底电极层、电容电介质层、以及顶电极层，其中，所述底电极层包括具有对称柱状结构的第一底电极层、以及具有不对称柱状结构的第二底电极层，所述第一底电极层以及所述第二底电极层分别具有朝着水平方向延伸的至少一水平延伸部，其中，至少一所述水平延伸部的侧壁与位于所述衬底和所述第一支撑层之间的所述底电极层的侧壁齐平，所述第二底电极层的顶部具有一凹角。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建省晋华集成电路有限公司，其通讯地址为：362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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