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龙图腾网恭喜北京炎和科技有限公司申请的专利一种基于准二维-二维钙钛矿的太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824092B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210428165.3，技术领域涉及：H10K30/50；该发明授权一种基于准二维-二维钙钛矿的太阳能电池及其制备方法是由吴存存;任博文;张贤;郑士建设计研发完成，并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于准二维-二维钙钛矿的太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明为一种基于准二维‑二维钙钛矿的太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池从下到上依次为衬底、电子传输层、准二维‑二维钙钛矿活性层、空穴传输层和对电极；所述钙钛矿活性层中的准二维钙钛矿材料，该材料为物质M和物质N中的一种或两种；所述的物质M的结构式为A2Bn‑1PbnX3n+1，物质N的结构式为CBm‑1PbmX3m+1；n和m相同或不同，取值为1‑100。本发明得到的准二维‑二维钙钛矿具有出色的本征稳定性，基于准二维‑二维钙钛矿吸光层制备的太阳能电池稳定性显著提升，在光伏器件领域具有很好的应用前景。

本发明授权一种基于准二维-二维钙钛矿的太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于准二维-二维钙钛矿的太阳能电池，其特征为该太阳能电池从下到上依次为衬底、电子传输层、准二维-二维钙钛矿活性层、空穴传输层和对电极；所述钙钛矿活性层中的准二维钙钛矿材料，该材料为物质N中的一种或两种；物质N的结构式为CBm-1PbmX3m+1；m取值为1-20；所述二维钙钛矿的结构式为A2PbX4、A2BPb2X7、CBPbX4、CBPb2X7中的一种；其中，A是有机阳离子，具体为二甲胺离子DMA+、乙胺离子EA+、巯基乙胺离子ESA+、乙醇胺离子EOA+、丙胺离子PA+、丁胺离子BA+、异丁基胺离子iBA+、戊胺离子PentA+、苯基胺离子PhA+、甲氧基苯乙胺离子MeOPEA+、三氟乙胺离子F3EA+、三氟甲基苯胺离子CF3PhA+、三氟甲基苯甲胺离子CF3PMA+、吡啶甲胺离子PyA+、3-二甲氨基-1-丙胺离子3Me2PDA+、二乙胺离子DEA+、苯甲基胺离子PMA+、苯乙基胺离子PEA+、对氟苯乙胺离子p-F-PEA+、苯丙基胺离子PPA+、苯丁基胺离子PhBA+、4-叔丁基苯甲胺离子tBBA+）、4-叔丁基苯胺离子tBPA+中的一种或多种；B是阳离子，具体为CH3NH3+MA+、NH2CH=NH2+FA+、或Cs+中的至少一种；C位阳离子是丁二胺离子BDAD2+、丙二胺离子PDAD2+对苯二胺离子PPD2+、亚甲二胺二氢离子MDA2+CH2NH322+、2,2'-乙烯二氧双乙胺离子EDBE2+、二甲胺离子DMA2+、3-二甲氨基-1-丙胺离子3Me2PDA2+、二乙胺离子DEA2+、乙二胺离子EDAD2+、1,8-辛二胺离子ODAD2+、戊二胺离子CH2CH2NH222+、1,6-己二胺离子HDAD2+、1,2-环己二胺离子CyHDAD2+、癸二胺离子DDAD2+、1,4-苯二胺离子PhDAD2+、间苯二胺离子mPhDAD2+、1,4-苯二甲胺离子PhDMAD2+中含有两个氨基的有机阳离子中的一种或多种；所述的X位为F-、Cl-、Br-、I-中的至少一种；所述准二维钙钛矿的厚度为200-1000nm，所述二维钙钛矿的厚度为0.5-100nm；所述的衬底为掺杂氟的SnO2导电玻璃FTO、氧化铟锡透明导电膜玻璃ITO、PETITOPET为聚对苯二甲酸乙二醇酯、PENITOPEN为聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种；所述的对电极为金、银、铜、铝、碳中的至少一种；所述电子传输层为二氧化锡SnO2、二氧化钛TiO2、[6,6]-苯基C61丁酸甲酯PCBM、碳60C60、氧化锌ZnO、TiO2-SnO2、ZnO-TiO2、ZnO-SnO2中的至少一种；电子传输层的厚度为1-200nm；所述的空穴传输层为2,2',7,7'-四二苯基氨基-9,9'-螺双芴Spiro、聚[双4-苯基2，4，6-三甲基苯基胺]PTAA、聚-3己基噻吩P3HT、N,N'-二苯基-N,N'-1-萘基-1,1'-联苯-4,4'-二胺NPB、三氧化钼、氧化镍、碘化亚铜、硫氰酸亚铜、钛箐铜、氧化铬中的至少一种，空穴传输层的厚度为5-300nm；所述的基于准二维-二维钙钛矿的太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：步骤一、清洗透明导电玻璃衬底：将衬底分别用玻璃清洁剂、去离子水和乙醇溶液分别超声清洗，再在氮气环境中干燥；步骤二、制备电子传输层：在清洗好的玻璃衬底，制备电子传输层；最后在紫外-臭氧机里面处理5-60min；步骤三、制备准二维钙钛矿层：在电子传输层上制备准二维钙钛矿层；为如下方法：所述结构式为DJ相CBm-1PbmX3m+1准二维钙钛矿的制备：按照摩尔比为C：B：Pb：X=1：m-1：m：3m+1的配比，将AX2、BX、PbX2加入到溶剂中，得到浓度为0.2~2molL的钙钛矿前驱体溶液；将配置好的钙钛矿前驱体溶液旋涂在电子传输层上，然后通过低压辅助处理得到200~1000nm的薄膜，再进行退火处理，形成准二维钙钛矿层；所述的溶剂为二甲基亚砜DMSO、N,N-二甲基甲酰胺DMF、N-甲基吡咯烷酮NMP、γ-丁内酯、二甲基乙酰胺DMAc、醋酸甲氨、甲酸甲胺、丁酸甲胺、乙腈中的至少两种；步骤四、制备二维钙钛矿层：在准二维钙钛矿吸光层表面再旋涂一层卤化胺盐异丙醇溶液，所述卤化胺盐异丙醇溶液浓度为0.1~20mgmL；每1~10cm2衬底涂覆10~1000μL前驱体溶液；涂完后进一步进行退火处理，退火时间为30s~20min，退火温度为20~150℃；其中，卤化铵盐为：甲氧基苯乙基碘化胺MeOPEAI、3,3-二苯基丙胺氢碘酸盐Ph2PAI、乙醇胺碘EOAI、巯基乙胺氢碘酸盐ESAI、丁胺碘BAI、异丁基碘化胺iBAI、3-吡啶甲胺碘3-PyAI、2-噻吩乙胺碘2-ThEAI、胍基氢氯酸盐GACl、三氟乙胺碘F3EAI、苯甲基氯化胺PMACl、苯甲基碘化胺PMAI、4-甲基苯乙胺碘p-MePEAI、苯乙基碘化胺PEAI、苯丙基碘化胺PPAI、4-甲基苯乙胺碘p-MePEAI、对氟苯甲胺碘p-F-PMAI、4-叔丁基苯甲胺碘tBBAI、4-叔丁基苯胺碘tBPAI、二甲胺氢碘酸盐DMAI、3-二甲氨基-1-丙胺碘3Me2PDAI、二乙胺碘DEAI、乙二胺碘EDADI、丙二胺碘PDADI、丁二胺碘BDADI、戊二胺碘CH2CH2NH2I2、1,6-己二胺氢碘酸盐HDADI、1,2-环己二胺碘CyHDADI、1,8-辛二胺氢碘酸盐ODADI、癸二胺碘DDADI、2,2'-乙烯二氧双乙胺氢碘酸盐EDBEI2、1,4-苯二胺氢碘酸盐PhDADI、间苯二胺碘mPhDADI、1,4-苯二甲胺碘PhDMADI中的一种或多种；步骤五、制备空穴传输层：在二维钙钛矿上旋涂空穴传输层材质溶液，其中，空穴传输层材质的浓度为1~100mgml；步骤六、制备对电极：在空穴传输层上制备采用真空蒸镀制备金属电极，或采用刮涂法制备碳电极。

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