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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利基于自由形式光源的快速制定ADI的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114660888B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210154849.9，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权基于自由形式光源的快速制定ADI的方法是由夏明;于世瑞设计研发完成，并于2022-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于自由形式光源的快速制定ADI的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于自由形式光源的快速制定ADI的方法,取光源文件，光源文件为在一个半径为1的圆内，每个取样点均记录一个光强值，每个取样点均记录其x坐标、y坐标和光强；根据每个取样点的光强分解得到X方向的第一光强和Y方向的第二光强；之后计算第一总光强与第二总光强的光强比；提供版图，获取版图中连接孔X方向的第一设计值和Y方向的第二设计值，以连接孔刻蚀后的偏差值与第一设计值的总和作为X方向的第一ADI值，以第一ADI值与光强比的比值作为Y方向的第二ADI值。发明可以减少对原始芯片设计版图进行ADI值设定和平均标准偏差的添加的ADI目标值设定迭代次数，减少OPC调试时间，加快出版。

本发明授权基于自由形式光源的快速制定ADI的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于自由形式光源的快速制定ADI的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、获取光源文件，所述光源文件为在一个半径为1的圆内的取样点，每个所述取样点均记录一个光强值，用于形成光刻机可读的光源，每个所述取样点均记录其x坐标、y坐标和光强；步骤二、根据每个所述取样点的光强分解得到X方向的第一光强和Y方向的第二光强；步骤三、对全部所述取样点的所述第一光强和所述第二光强分别求和得到第一总光强和第二总光强，之后计算所述第一总光强与所述第二总光强的光强比；步骤四、提供版图，获取所述版图中连接孔X方向长度的第一设计值和Y方向长度的第二设计值，以所述连接孔刻蚀后的偏差值与所述第一设计值的总和作为X方向的第一ADI值，以所述第一ADI值与所述光强比的比值作为Y方向的第二ADI值。

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