买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜三一硅能(株洲)有限公司申请的专利硼掺杂选择性发射极、制备方法及N型太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497245B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210080520.2，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权硼掺杂选择性发射极、制备方法及N型太阳能电池是由张峰;夏益民;张淳设计研发完成，并于2022-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本硼掺杂选择性发射极、制备方法及N型太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明提供一种硼掺杂选择性发射极、制备方法及N型太阳能电池，所述制备方法包括：对N型硅片进行预处理；在预处理后的N型硅片的正面以低压气相沉积的方式制备硼掺杂多晶硅层，得到半成品；对半成品依次进行激光掺杂与退火，得到硼掺杂选择性发射极；硼掺杂多晶硅层包括硅沉积层与硼沉积层，硅沉积层与硼沉积层呈叠层分布。本发明基于低压化学气相沉积工艺，可在低温与较短的工艺时间内，制备得到高掺杂浓度的硼掺杂选择性发射极，不仅降低了发射极的金属接触区域和非金属区域的复合，确保了掺杂效率，而且可增加金属栅线和半导体部分的欧姆接触特性，以及增加填充因子，提升N型太阳能电池的光电转换效率。

本发明授权硼掺杂选择性发射极、制备方法及N型太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，包括：对N型硅片进行预处理；在预处理后的N型硅片的正面，以低压气相沉积的方式制备硼掺杂多晶硅层，得到半成品；对半成品依次进行激光掺杂与退火，得到硼掺杂选择性发射极；其中，所述硼掺杂多晶硅层包括硅沉积层与硼沉积层，所述硅沉积层与所述硼沉积层呈叠层分布；所述在N型硅片的正面以低压气相沉积的方式制备硼掺杂多晶硅层的步骤包括：第一沉积步骤，对N型硅片所在的真空环境通入第二质量流量的硅源，在第二温度与第二压力条件下，在N型硅片上进行第一硅沉积层的气相沉积，控制沉积时间为第二时长；第二沉积步骤，对N型硅片所在的真空环境通入第三质量流量的硼源，在第二温度与第三压力条件下，在第一硅沉积层上进行硼沉积层的气相沉积，控制沉积时间为第三时长；第三沉积步骤，对N型硅片所在的真空环境通入第四质量流量的硅源，在第二温度与第四压力条件下，在硼沉积层上进行第二硅沉积层的气相沉积，控制沉积时间为第四时长；按照所述第一沉积步骤至所述第三沉积步骤的工艺操作顺序，进行至少两次工艺循环；所述第二温度为600～610℃；所述第二质量流量为300～1200sccm，所述第二压力为70～300mtorr，所述第二时长为2～20min；所述第三质量流量为200～1000sccm，所述第三压力为50～150mtorr，所述第三时长为1～10min；所述第四质量流量为300～1200sccm，所述第四压力为70～300mtorr，所述第四时长为2～20min。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三一硅能(株洲)有限公司，其通讯地址为：412000 湖南省株洲市石峰区铜塘湾街道铜霞路255号隆信国际1号楼518-50室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。