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龙图腾网恭喜朗美通日本株式会社申请的专利半导体光接收元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792738B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210072165.4，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权半导体光接收元件是由豊中隆司;滨田博;田中滋久设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体光接收元件在说明书摘要公布了：一种半导体光接收元件，包括:半导体衬底；第一导电类型的高浓度层，形成在半导体衬底上；第一导电类型的低浓度层，形成在第一导电类型的高浓度层上并与第一导电类型的高浓度层接触；第二导电类型的低浓度层，被配置为与第一导电类型的低浓度层一起形成PN结界面；以及形成在第二导电类型的低浓度层上并与第二导电类型的低浓度层接触的第二导电类型的高浓度层。低浓度层的载流子浓度小于1×1016cm3。高浓度层的载流子浓度为1×1017cm3或更高。至少一个低浓度层包括具有用于吸收入射光的带隙的吸收层。

本发明授权半导体光接收元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体光接收元件，包括:半导体衬底；第一导电类型的高浓度层，形成在半导体衬底上；第一导电类型的低浓度层，形成在第一导电类型的高浓度层上并与第一导电类型的高浓度层接触；第二导电类型的低浓度层，被配置为与第一导电类型的低浓度层一起形成PN结界面；和第二导电类型的高浓度层，形成在第二导电类型的低浓度层上并与第二导电类型的低浓度层接触，其中:第一导电类型的低浓度层和第二导电类型的低浓度层各自具有小于1×1016cm3的载流子浓度，第一导电类型的高浓度层具有比第一导电类型的低浓度层更高的载流子浓度，第二导电类型的高浓度层具有比第二导电类型的低浓度层更高的载流子浓度，所述第一导电类型的高浓度层和所述第二导电类型的高浓度层各自具有1×1017cm3或更高的载流子浓度，并且第一导电类型的低浓度层或第二导电类型的低浓度层中的至少一个包括具有用于吸收入射光的带隙的吸收层，当电压被施加到第一导电类型的低浓度层和第二导电类型的低浓度层时，第一导电类型的低浓度层和第二导电类型的低浓度层的整个区域被耗尽，其中所述第一导电类型的低浓度层的厚度为厚度Dn0或更小，所述厚度Dn0由等式1、等式2和等式3定义，并且其中所述第二导电类型的低浓度层的厚度为厚度Dp0或更小，厚度Dp0由等式1、等式2和等式3定义:[等式1] [等式2]Rp＝1+εnεp·NpNn[等式3]Dn0＝Rp-1·Dp0其中:Vr:从外部施加的偏置电压Vb:内置电位q:基本电荷εp:第二导电类型的低浓度层的介电常数εn:第一导电类型的低浓度层的介电常数Np:第二导电类型的低浓度层的载流子密度Nn:第一导电类型的低浓度层的载流子密度。

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