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龙图腾网恭喜湖南大学申请的专利一种高抗辐射能力SiC MOSFET器件结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388621B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210059843.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种高抗辐射能力SiC MOSFET器件结构及制备方法是由梁世维;王俊;杨余;俞恒裕;陈炳如;张锦奕设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高抗辐射能力SiC MOSFET器件结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种高抗辐射能力SiCMOSFET器件新结构，所述新型平面栅SiCMOSFET器件的元胞结构包括：漏极金属电极、N+型衬底和N‑漂移区；N‑漂移区3顶部设载流子存储层和P‑base区，载流子存储层一4中设P型阻挡区6和P+区8，载流子存储层二41位于P型阻挡区6与P+区8之间；P‑base区5内设N+区7和P+区8，N+区7和P+区8与源极金属电极11相连。本发明提高了SiCMOSFET器件的抗总剂量辐射γ射线等和抗单粒子辐射能力，可应用在航空航天等空间极端环境中。

本发明授权一种高抗辐射能力SiC MOSFET器件结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高抗辐射能力SiCMOSFET器件结构，其特征在于，平面栅SiCMOSFET器件的元胞结构包括：漏极金属电极1、N+型衬底2和N-漂移区3；所述N-漂移区3的顶部设有载流子存储层和P-base区5，其中，所述载流子存储层由载流子存储层一4以及载流子存储层二41构成，所述载流子存储层一4中设有P型阻挡区6和P+区8，所述载流子存储层二41位于P型阻挡区6与P+区8之间；所述P-base区5内设有N+区7和P+区8，所述N+区7和P+区8与源极金属电极11相连；所述N-漂移区3与源极金属电极11之间设有栅极结构，所述栅极结构包括多晶硅栅极9与栅极氧化物10，所述栅极氧化物10位于所述多晶硅栅极9与源极金属电极11、P-base区5、N+区7、P+区8、载流子存储层一4以及P型阻挡区6之间；所述P型阻挡区6位于载流子存储层一4中且紧靠P-base区5下方，所述载流子存储层二41位于P型阻挡区6和JFET区中的P+区8之间靠近JFET区的位置；所述载流子存储层一4和载流子存储层二41均为掺杂浓度不同的N型掺杂，所述载流子存储层二41的掺杂浓度高于载流子存储层一4，所述载流子存储层二41上方P+区8的掺杂浓度高于其下方的P型阻挡区6的掺杂浓度；所述JFET区中的P+区8的上方有金属层且为欧姆接触，与源极金属相连。

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