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恭喜友达光电股份有限公司范扬顺获国家专利权

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龙图腾网恭喜友达光电股份有限公司申请的专利薄膜晶体管获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114388627B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210033671.2,技术领域涉及:H10D30/67;该发明授权薄膜晶体管是由范扬顺;黄震铄设计研发完成,并于2022-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

薄膜晶体管在说明书摘要公布了:一种薄膜晶体管,包括:半导体层、第一栅极、第一栅绝缘层、第二栅极、第三栅极、以及第二栅绝缘层。第一栅极位于半导体层的一侧。第一栅绝缘层位于第一栅极与半导体层之间。第二栅极及第三栅极位于半导体层的另一侧,且第二栅极与第三栅极分离。第二栅绝缘层位于第二栅极及第三栅极与半导体层之间。第一栅极于半导体层的正投影部分重叠第二栅极于半导体层的正投影,且第一栅极于半导体层的正投影部分重叠第三栅极于半导体层的正投影。

本发明授权薄膜晶体管在权利要求书中公布了:1.一种薄膜晶体管,包括:半导体层;第一栅极,位于所述半导体层的一侧;第一栅绝缘层,位于所述第一栅极与所述半导体层之间;第二栅极及第三栅极,位于所述半导体层的另一侧,且所述第二栅极与所述第三栅极分离;以及第二栅绝缘层,位于所述第二栅极及所述第三栅极与所述半导体层之间,其中,所述第一栅极于所述半导体层的正投影部分重叠所述第二栅极于所述半导体层的正投影,且所述第一栅极于所述半导体层的正投影部分重叠所述第三栅极于所述半导体层的正投影,其中所述第一栅极、所述第二栅极及所述第三栅极电性连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人友达光电股份有限公司,其通讯地址为:中国台湾新竹市;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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