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龙图腾网恭喜西安芯辉光电科技有限公司申请的专利一种单光子雪崩二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628424B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111675354.2，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种单光子雪崩二极管是由胡进;刘阳;平雨晗;马瑞设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单光子雪崩二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单光子雪崩二极管，包括阵列排布的多个像素单元以及设置在相邻像素单元之间的共享阴极和隔离单元，其中，所述像素单元包括二极管有源区、纳米蛾眼减反结构和微透镜，所述纳米蛾眼减反结构设置在所述二极管有源区的上表面，所述微透镜设置在所述纳米蛾眼减反结构的上表面；所述共享阴极设置在每相邻四个所述像素单元的顶角围成的区域中；所述隔离单元设置在相邻两个所述像素单元之间，用于对相邻像素单元进行光学及电学隔离。本发明将纳米蛾眼减反微结构、微透镜与光电探测器件相结合，减少特定波段光的反射，增加了回波信号中光子的利用率，从而提高量子效率，并提高系统的探测效率。

本发明授权一种单光子雪崩二极管在权利要求书中公布了：1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括阵列排布的多个像素单元1以及设置在相邻像素单元1之间的共享阴极2和隔离单元3，其中，所述像素单元1包括二极管有源区11、纳米蛾眼减反结构12和微透镜13，所述纳米蛾眼减反结构12设置在所述二极管有源区11的上表面，所述微透镜13设置在所述纳米蛾眼减反结构12的上表面；所述共享阴极2设置在每相邻四个所述像素单元1的顶角围成的区域中；所述隔离单元3设置在相邻两个所述像素单元1之间，用于对相邻像素单元1进行光学及电学隔离；其中，所述二极管有源区11包括P型衬底层111、P型外延层112、N型埋层113、p+有源层114、有源区光子反射金属板115、阳极电极116以及布线层117，其中，所述布线层117、所述P型外延层112、所述N型埋层113和所述P型衬底层111自下而上层叠设置，所述纳米蛾眼减反结构12设置在所述P型衬底层111的上表面；所述p+有源层114设置在所述P型外延层112的下表面中心；所述阳极电极116镶嵌在所述布线层117的上表面且所述阳极电极116的上表面与所述p+有源层114的下表面接触，所述有源区光子反射金属板115镶嵌在所述布线层117的下表面；其中，所述隔离单元3包括自上而下依次堆叠在相邻所述像素单元1之间的深槽隔离区31、隔离N阱32和浅槽隔离层33，其中，所述浅槽隔离层33镶嵌在所述P型外延层112的下表面，所述隔离N阱32设置在所述浅槽隔离层33的上表面且与所述N型埋层113的下表面接触；所述深槽隔离区31从所述P型衬底层111的上表面延伸至所述隔离N阱32的内部且能够间隔相邻所述像素单元1的N型埋层113；其中，所述共享阴极2包括自上而下依次层叠设置的深N阱21、N+掺杂阱22和阴极电极23，其中，所述深N阱21和所述N+掺杂阱22设置在所述P型外延层112内部，所述阴极电极23位于所述布线层117内部，且所述深N阱21的上表面与所述N型埋层113的下表面接触。

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