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龙图腾网恭喜深圳市盛元半导体有限公司申请的专利一种免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺及生产得到的劈刀获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361054B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111648470.5，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺及生产得到的劈刀是由刘德强设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺及生产得到的劈刀在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体封装技术领域，具体公开了一种免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺及生产得到的劈刀，免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺具体操作如下：劈刀衬底的制备；表层预处理：碱性混合液清洗劈刀衬底，乙醇清洗，光纤激光结构粗化；将劈刀衬底浸至熔融状的氢氧化钠，乙醇清洗；碱性混合液包括如下重量份的原料：10‑20份质量分数18‑25%的氢氧化钠水溶液和3‑7份烷基酚聚氧乙烯醚；表层强化处理，得到劈刀。本申请工艺生产的劈刀沉积层厚度3.0‑5.0μm，沉积层结合力最高HF1，沉积层连续紧密，且光滑平整。劈刀材料去除量最低246.7mm3，耐磨性强；弯曲强度最高1632MPa，使劈刀达到了免清洗的效果。

本发明授权一种免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺及生产得到的劈刀在权利要求书中公布了：1.一种免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺，其特征在于，其包括如下操作步骤：S1、劈刀衬底的制备；将劈刀原料混合，搅拌球磨，干燥造粒，粒径0.1-1.5μm，注模，静置，得到毛胚，脱脂，干燥，烧结，冷却，得到劈刀衬底；其中，所述劈刀衬底包括如下重量份原料：氧化铝70-80份、碳化铬5-9份、氧化锆4-5份、聚丙烯酰胺2-4份、柠檬酸铵1-3份和二氧化钛3-5份；S2、表层预处理：在50-60℃条件下，用碱性混合液清洗劈刀衬底，再在22±3℃条件下，用乙醇清洗劈刀衬底，烘干；对烘干的劈刀衬底进行光纤激光结构粗化，喷雾冷却；在70-90℃条件下将劈刀衬底的刀头浸至熔融状的氢氧化钠中30-60min，冷却，乙醇清洗，烘干；其中，所述碱性混合液包括如下重量份的原料：10-20份质量分数18-25%的氢氧化钠水溶液和3-7份烷基酚聚氧乙烯醚；S3、表层强化处理：在5-10MPa、1020-1200℃条件下，先后或同时通入氩气、氢气和甲烷，对表层预处理后的劈刀衬底刀头部进行气相沉积，积尘厚度达到3-5μm，停止沉积，降温，得到劈刀。

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