恭喜成都通量科技有限公司迟旭获国家专利权
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龙图腾网恭喜成都通量科技有限公司申请的专利一种FinFET器件阈值电压模型构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114266169B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111628303.4，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种FinFET器件阈值电压模型构建方法是由迟旭;唐攀;易凯;李晨设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种FinFET器件阈值电压模型构建方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种FinFET器件阈值电压模型构建方法，涉及半导体集成电路技术领域，包括：建立闪烁噪声、跨导‑沟道温度映射模型；通过闪烁噪声、跨导‑沟道温度映射模型，求解不同偏置电压下FinFET器件的沟道温度；通过插值法得到偏置电压‑沟道温度关系模型；建立FinFET器件阈值电压模型。本发明建立了偏置电压‑沟道温度关系模型，其与温度‑阈值电压方程的结合，精确描述了偏置电压因改变了沟道温度而对阈值电压的影响，解决了FinFET器件的阈值电压测算精度的问题。本发明不局限于晶体管尺寸，适用面广，可移植性好。
本发明授权一种FinFET器件阈值电压模型构建方法在权利要求书中公布了：1.一种FinFET器件阈值电压模型构建方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、测量并获取施加了偏置电压的FinFET器件的闪烁噪声功率谱密度、跨导和沟道温度，并通过牛顿迭代法，求解晶体管闪烁噪声方程组，得到闪烁噪声、跨导-沟道温度映射模型；S2、向FinFET器件施加不同的偏置电压，测量并获取每个偏置电压下FinFET器件的闪烁噪声功率谱密度和跨导，并通过闪烁噪声、跨导-沟道温度映射模型，求解每个偏置电压下FinFET器件的沟道温度；S3、根据步骤S2所述的各个偏置电压下FinFET器件的沟道温度，通过插值法得到偏置电压-沟道温度关系模型；S4、根据偏置电压-沟道温度关系模型和温度-阈值电压方程，建立FinFET器件阈值电压模型。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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