恭喜长江存储科技有限责任公司吴林春获国家专利权
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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体存储器设备及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114175254B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180004170.5，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体存储器设备及其形成方法是由吴林春;周文犀;夏志良;霍宗亮设计研发完成，并于2021-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器设备及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开内容的各方面提供了一种包括第一管芯的半导体设备。第一管芯包括第一层堆叠体，第一层堆叠体包括位于第一管芯背面上的半导体层。形成第二层堆叠体，其包括交替地堆叠在第一管芯的正面上的栅极层和第一绝缘层。正面与背面相对。垂直结构包括设置在第一层堆叠体中的第一部分和延伸穿过第二层堆叠体的第二部分。第一部分在平行于第一管芯的主表面的方向上具有与第二部分不同的尺寸。
本发明授权半导体存储器设备及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备，包括：第一管芯，包括：第一层堆叠体，包括位于所述第一管芯的背面上的半导体层；第二层堆叠体，包括交替地堆叠在所述第一管芯的正面上的栅极层和第一绝缘层，所述正面与所述背面相对；以及垂直结构，包括设置在所述第一层堆叠体中的第一部分和延伸穿过所述第二层堆叠体的第二部分，所述第一部分在平行于所述第一管芯的主表面的方向上具有与所述第二部分不同的尺寸，其中，所述垂直结构包括核心区域的沟道结构，所述沟道结构包括在所述第一部分和所述第二部分中延伸的沟道层，并且所述第一部分中的所述沟道层被所述半导体层围绕并且所述第一部分中的所述沟道层的底表面和侧表面与所述半导体层直接接触。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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