恭喜爱思开海力士有限公司赵炳直获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132920B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111019073.1，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权电子装置是由赵炳直;成镛宪;韩智宣设计研发完成，并于2021-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子装置在说明书摘要公布了：一种电子装置，包括半导体存储器，该半导体存储器包括：第一线，设置在第一线之上而与第一线间隔开的第二线；可变电阻层，设置在第一线与第二线之间；选择元件层，设置在第一线与可变电阻层之间或在第二线与可变电阻层之间；以及一个或更多个电极层，设置在选择元件层之上或之下或设置在选择元件层之上和之下，所述一个或更多个电极层与选择元件层相邻，其中一个或更多个电极层中的每一个包括第一电极层和第二电极层，第二电极层包括含有氮的第二碳层，第一电极层包括含有较低浓度氮或不含氮的第一碳层。
本发明授权电子装置在权利要求书中公布了：1.一种包括半导体存储器的电子装置，所述半导体存储器包括：第一线；第二线，设置在所述第一线之上而与所述第一线间隔开；可变电阻层，设置在所述第一线与所述第二线之间；选择元件层，设置在所述第一线与所述可变电阻层之间或在所述第二线与所述可变电阻层之间；以及一个或更多个电极层，设置在所述选择元件层之上或之下或设置在所述选择元件层之上和之下，所述一个或更多个电极层与所述选择元件层相邻，其中，所述一个或更多个电极层中的每一个电极层包括第一电极层和第二电极层，所述第二电极层包括含有氮的第二碳层，所述第一电极层包括第一碳层，所述第一碳层含有相比于所述第二电极层的第二碳层中所含的氮而具有较低浓度的氮或不含氮，所述第一电极层置于所述第二电极层和所述选择元件层之间，以及其中，所述第一电极层的厚度小于所述第二电极层的厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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