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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664727B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011541213.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的形成方法是由李强;金吉松设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括用于形成目标图形的目标层，目标层上形成有图形定义层，图形定义层中形成有沿第一方向延伸并贯穿图形定义层的第一牺牲层；去除在第二方向上位于图形定义层和第一牺牲层交界处部分宽度的第一牺牲层，形成沿第一方向延伸、且由图形定义层、目标层和剩余第一牺牲层围成的开口；在开口侧壁形成第一侧墙层；去除在第二方向上的部分第一牺牲层，在第一牺牲层中形成沿第一方向延伸、且由剩余第一牺牲层的相对侧壁和目标层围成的凹槽；在凹槽侧壁形成第二侧墙层；去除剩余第一牺牲层；以第一侧墙层和第二侧墙层为掩膜刻蚀目标层形成目标图形。本发明在增大工艺窗口的同时，进一步缩小目标图形之间的节距。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，包括用于形成目标图形的目标层，所述目标层上形成有图形定义层，所述图形定义层中形成有沿第一方向延伸、并贯穿所述图形定义层的第一牺牲层，所述第一牺牲层和图形定义层之间具有刻蚀选择比；去除在第二方向上位于所述图形定义层和第一牺牲层交界处的部分宽度的所述第一牺牲层，形成沿所述第一方向延伸、且由所述图形定义层、目标层和剩余所述第一牺牲层围成的开口；在所述开口的侧壁形成第一侧墙层；去除在第二方向上的部分宽度的所述第一牺牲层，在所述第一牺牲层中形成沿所述第一方向延伸、且由剩余所述第一牺牲层的相对侧壁和目标层围成的凹槽；在所述凹槽的侧壁形成第二侧墙层；形成所述第一侧墙层和第二侧墙层后，去除剩余的所述第一牺牲层；去除剩余的所述第一牺牲层后，以所述第一侧墙层和第二侧墙层为掩膜刻蚀所述目标层，形成目标图形。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。