恭喜美商楼氏电子有限公司J·托夫特获国家专利权
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龙图腾网恭喜美商楼氏电子有限公司申请的专利集成电路和电容式换能器偏置电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113098262B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011504049.2，技术领域涉及：H02M3/07；该发明授权集成电路和电容式换能器偏置电路是由J·托夫特;M·沙扬;M·纳瓦扎;M·佩德森设计研发完成，并于2020-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路和电容式换能器偏置电路在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路和电容式换能器偏置电路。本公开描述了在麦克风组件中提供DC偏置电压的设备和方法。具体地，这种设备的一个实现方式可以在包括直流DC偏置电路的集成电路上实现。DC偏置电路可以联接至换能器并被配置成将DC偏置信号供应至换能器。DC偏置电路包括多级电荷泵和低通滤波器LPF电路。多级电荷泵包括制造有深沟槽隔离DTI的晶体管。
本发明授权集成电路和电容式换能器偏置电路在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，所述集成电路用于与电容式微机电系统换能器通过接口连接并调节由所述电容式微机电系统换能器输出的信号，所述集成电路包括：信号调节电路，所述信号调节电路的输入端能够电连接至所述电容式微机电系统换能器的输出端，所述信号调节电路具有输出端；换能器偏置电路，所述换能器偏置电路包括：电荷泵电路，所述电荷泵电路包括介于所述电荷泵电路的输入端与输出端之间的多个级联电荷泵级，各个电荷泵级包括联接至第一半导体器件的电容器，所述第一半导体器件位于第一阱区中，所述第一阱区嵌入基板中并掺杂有P型或N型材料，围绕所述第一阱区设置使所述第一阱区的至少一部分与所述基板绝缘的第一深沟槽隔离阻挡件；高压静电放电保护电路，所述高压静电放电保护电路联接至所述电荷泵电路的输出端；以及滤波器，所述滤波器联接至所述电荷泵电路的输出端。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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