恭喜清华大学宋成获国家专利权
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龙图腾网恭喜清华大学申请的专利一种用垂直自旋极化的自旋流来无磁场辅助翻转磁矩的器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140671B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011359539.8，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种用垂直自旋极化的自旋流来无磁场辅助翻转磁矩的器件及其制备方法是由宋成;周效枫;陈贤哲;白桦;潘峰设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用垂直自旋极化的自旋流来无磁场辅助翻转磁矩的器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用垂直自旋极化的自旋流来无磁场辅助翻转磁矩的器件及其制备方法。它由下至上依次包括基片、强自旋轨道耦合层和磁化层；强自旋轨道耦合层包括如下材料中的至少一种制成：重金属材料、拓扑绝缘体材料、兼具亚晶格中心反演对称性破缺和全局中心反演对称性的反铁磁材料；磁化层包括具有垂直易磁化的材料和或具有面内易磁化轴的材料制成。它的制备方法，包括如下步骤：在基片上依次沉积强自旋轨道耦合层和磁化层即得。本发明器件常规的平行于自旋极化方向的自旋流使垂直易磁化和沿面内x方向易磁化的器件在无磁场辅助下实现磁矩的180°翻转，并可通过改变强自旋轨道耦合层的反铁磁磁矩的方向来调控垂直自旋极化的自旋流的大小。
本发明授权一种用垂直自旋极化的自旋流来无磁场辅助翻转磁矩的器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用垂直自旋极化的自旋流来无磁场辅助翻转磁矩的器件，它由下至上依次包括基片、强自旋轨道耦合层和磁化层；所述强自旋轨道耦合层包括如下材料中的至少一种制成：拓扑绝缘体材料、兼具亚晶格中心反演对称性破缺和全局中心反演对称性的反铁磁材料；所述拓扑绝缘体材料包括Bi2Se3和或Bi2Te3；所述兼具亚晶格中心反演对称性破缺和全局中心反演对称性的反铁磁材料包括Mn2Au和CuMnAs；所述磁化层包括具有垂直易磁化的材料和或具有面内易磁化轴的材料制成。
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