恭喜日月光半导体制造股份有限公司黄文宏获国家专利权
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龙图腾网恭喜日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体衬底及形成内埋式衬底的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112466837B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011062410.0，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体衬底及形成内埋式衬底的方法是由黄文宏设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体衬底及形成内埋式衬底的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体衬底，包括：空旷区；内埋有芯片的第一内埋区，由空旷区围绕；多个第一导电柱，贯穿空旷区并布置在第一内埋区周围；以及导电线，多个第一导电柱通过导电线串联，以形成围绕第一内埋区的针线结构。本发明在另一方面提供一种形成内埋式衬底的方法。本发明的目的在于至少提高半导体衬底的强度。
本发明授权半导体衬底及形成内埋式衬底的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体衬底，其特征在于，包括：空旷区，嵌有导电块；内埋有芯片的第一内埋区，由所述空旷区围绕，所述第一内埋区具有贯通开口、以及位于所述贯通开口中用以包覆所述芯片的封胶层；多个第一导电柱，贯穿所述空旷区并贯穿所述导电块，所述多个第一导电柱布置在所述第一内埋区周围；以及导电线，所述多个第一导电柱通过所述导电线串联，以形成围绕所述第一内埋区的针线结构；其中，所述封胶层贯穿所述贯通开口并由所述针线结构围绕，并且所述封胶层的顶面高于所述针线结构中所述第一导电柱的上表面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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