恭喜株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社刀祢馆达郎获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利光继电器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112908939B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010854170.1，技术领域涉及：H01L23/14；该发明授权光继电器是由刀祢馆达郎设计研发完成，并于2020-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本光继电器在说明书摘要公布了：实施方式提供一种高频信号的传输损耗少的光继电器。实施方式的光继电器具备：聚酰亚胺基板，具有第一面和与第一面相反的一侧的第二面，厚度为10μm以上且120μm以下；第二面上的输入端子；第二面上的输出端子；第一面上的受光元件；受光元件上的发光元件；以及第一面上的MOSFET。
本发明授权光继电器在权利要求书中公布了：1.一种光继电器，具备：聚酰亚胺基板，具有第一面和与所述第一面相反的一侧的第二面，厚度为10μm以上且120μm以下；所述第二面上的输入端子；所述第二面上的输出端子；所述第一面上的受光元件；所述受光元件上的发光元件；以及所述第一面上的第一MOSFET以及第二MOSFET，所述输入端子经由第一接合线与所述发光元件电连接，所述受光元件与所述第一MOSFET以及所述第二MOSFET经由第二接合线而电连接，所述输出端子经由1个以上的通孔布线与所述第一MOSFET以及所述第二MOSFET电连接，该通孔布线设置在所述聚酰亚胺基板上，直径为20μm以上且40μm以下，所述第一MOSFET与所述第二MOSFET共源连接，将所述第一MOSFET的源极与所述第二MOSFET的源极连接的第三接合线的数量为2根以上，2根以上所述第三接合线为非平行，所述第一MOSFET以及所述第二MOSFET侧的所述第二接合线的直径比所述发光元件侧的所述第一接合线的直径大。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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