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龙图腾网恭喜硅存储技术股份有限公司申请的专利通过导电块上的硅化物在基底上制造存储器单元、高电压设备和逻辑设备的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078864B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010826250.6，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权通过导电块上的硅化物在基底上制造存储器单元、高电压设备和逻辑设备的方法是由王春明;孙士祯;X·刘;邢精成;杨荣华;N·多;宋国祥设计研发完成，并于2020-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本通过导电块上的硅化物在基底上制造存储器单元、高电压设备和逻辑设备的方法在说明书摘要公布了：本发明题为“通过导电块上的硅化物在基底上制造存储器单元、高电压设备和逻辑设备的方法”。本发明公开了一种形成半导体设备的方法，该方法包括：使半导体基底的第一区域和第二区域的上表面相对于该基底的第三区域凹入；在该第一区域中形成一对堆叠结构，每个堆叠结构具有在浮栅上方的控制栅；在该对堆叠结构之间的该基底中形成第一源极区；在该第一源极区上方形成擦除栅；在该第三区域中形成伪材料块；形成邻近该堆叠结构的选择栅；在该第二区域中形成高电压栅极；在该高电压栅极中的一个高电压栅极的至少一部分上方形成第一阻挡层；在不处于该第一阻挡层下方的该高电压栅极的顶表面上形成硅化物；以及用金属材料块替换该伪材料块。

本发明授权通过导电块上的硅化物在基底上制造存储器单元、高电压设备和逻辑设备的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体设备的方法，包括：提供半导体材料的基底，所述半导体材料的基底包括第一区域、第二区域和第三区域；使所述第一区域中的所述基底的上表面和所述第二区域中的所述基底的上表面相对于所述第三区域中的所述基底的上表面凹入；在所述第一区域中形成一对堆叠结构，其中所述堆叠结构中的每个堆叠结构包括设置在所述第一区域中的所述基底的所述上表面上方并且与所述上表面绝缘的导电材料的浮栅，以及设置在所述浮栅上方并且与所述浮栅绝缘的导电材料的第一非浮栅；在所述第一区域中的所述一对堆叠结构之间的所述基底中形成第一源极区；形成设置在所述第一区域中的所述第一源极区上方并且与所述第一源极区绝缘的第二非浮栅；形成设置在所述第三区域中的所述基底的所述上表面上方并且与所述上表面绝缘的伪材料块；形成导电材料的第三非浮栅，所述第三非浮栅设置在所述第一区域中的所述基底的所述上表面上方并且与所述上表面绝缘，并且各自横向邻近所述堆叠结构中的一个堆叠结构并且与所述堆叠结构绝缘；形成设置在所述第二区域中的所述基底的所述上表面上方并且与所述上表面绝缘的导电材料的第四非浮栅；在所述第一区域中的所述基底中形成第一漏极区，每个第一漏极区邻近所述第三非浮栅中的一个第三非浮栅；在所述第二区域中的所述基底中形成第二源极区，每个第二源极区邻近所述第四非浮栅中的一个第四非浮栅；在所述第二区域中的所述基底中形成第二漏极区，每个第二漏极区邻近所述第四非浮栅中的一个第四非浮栅；在所述第三区域中的所述基底中形成第三源极区，所述第三源极区邻近所述伪材料块；在所述第三区域中的所述基底中形成第三漏极区，所述第三漏极区邻近所述伪材料块；在所述第二区域中的所述第四非浮栅中的一个第四非浮栅的至少一部分上方形成第一阻挡层；在所述第一漏极区、所述第二漏极区和所述第三漏极区上，在所述第二源极区和所述第三源极区上，以及在不处于所述第一阻挡层下面的所述第四非浮栅的顶表面上形成硅化物，其中所述第一阻挡层防止硅化物形成在所述第四非浮栅中的一个第四非浮栅的所述上表面的处于所述第一阻挡层下方的至少一部分上，而允许硅化物形成在所述第四非浮栅的所述上表面的不在所述第一阻挡层下方的其他部分上；以及用金属材料块替换所述伪材料块。

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