恭喜三星电子株式会社;蔚山科学技术院李昌锡获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社;蔚山科学技术院申请的专利六方氮化硼、其制造方法及电器件和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112442734B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010787644.5，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权六方氮化硼、其制造方法及电器件和半导体器件是由李昌锡;申铉石;申铉振;洪锡模;马庆烈设计研发完成，并于2020-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本六方氮化硼、其制造方法及电器件和半导体器件在说明书摘要公布了：本公开涉及六方氮化硼、其制造方法及电子器件和半导体器件。在此公开了一种制造六方氮化硼的方法，其中六方氮化硼被外延地生长。一种制造六方氮化硼的方法包括：将催化金属放置在腔室中，该催化金属具有六方晶体结构并与腔室中的六方氮化硼h‑BN具有15％或更小的晶格失配；以及在将氮源和硼源供应到腔室中的同时，在800℃或更低的温度下在催化金属上生长六方氮化硼。
本发明授权六方氮化硼、其制造方法及电器件和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种制造六方氮化硼的方法，所述方法包括：在具有六方晶体结构的生长衬底上生长催化金属；将所述催化金属放置在腔室中，所述催化金属具有六方晶体结构，并且与六方氮化硼h-BN具有大于或等于0％且小于或等于15％的晶格失配；以及在将氮源和硼源供应到所述腔室中的同时，在600℃至800℃的范围内的温度下在所述催化金属上生长六方氮化硼，所述催化金属上生长的所述六方氮化硼具有单晶结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社;蔚山科学技术院，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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