恭喜江苏和达电子科技有限公司;四川和晟达电子科技有限公司徐帅获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏和达电子科技有限公司;四川和晟达电子科技有限公司申请的专利一种用于铜/钼（铌）/IGZO膜层的刻蚀液及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111809182B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010652548.X，技术领域涉及：C23F1/18；该发明授权一种用于铜/钼（铌）/IGZO膜层的刻蚀液及其制备方法和应用是由徐帅;张红伟;李闯;胡天齐;钱铁民设计研发完成，并于2020-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于铜/钼（铌）/IGZO膜层的刻蚀液及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于铜钼铌IGZO膜层的刻蚀液及其制备方法和应用，所述蚀刻液包括主剂和添加剂，所述主剂和添加剂中金属缓蚀剂均为氨基咔唑类金属缓蚀剂。本发明的刻蚀液能够实现对金属源漏电极和半导体层IGZO膜层的同步刻蚀，可降低光罩使用数量、简化IGZO‑TFT制造工艺流程、提高企业生产效率、降低生产成本、确保产品品质，同时该蚀刻液的铜离子负载可达8000ppm，使用寿命更高。
本发明授权一种用于铜/钼（铌）/IGZO膜层的刻蚀液及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种用于铜钼IGZO膜层或铜钼铌合金IGZO膜层的刻蚀液，其特征在于，所述刻蚀液包括主剂和添加剂；所述主剂以其总质量为100％计，包括如下组分： 所述添加剂以其总质量为100％计，包括如下组分： 所述主剂和添加剂中金属缓蚀剂均为9-氨基咔唑和或3,9-二氨基咔唑。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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